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本发明公开一种非挥发性存储器结构，其包括基底、堆叠结构、导体柱、通道层、电荷存储结构与第二介电层。堆叠结构设置在基底上，且具有开口。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层。导体柱设置在开口中。通道层设置在堆叠结构与导体柱之间。...
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