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本发明提供了一种SONOS存储器及其制造方法，其中所述SONOS存储器的制造方法包括：首先，提供一衬底，且所述衬底上形成有控制栅；其次，刻蚀所述控制栅一侧的所述衬底，形成L型沟槽；然后，在所述L型沟槽上形成ONO介质层，所述ONO介质层包括...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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