垂直存储器件及其制造方法技术

示例实施例公开了一种垂直存储器件及其制造方法。所述器件可以包括多个栅电极和多个绝缘图案以及穿透第一栅电极和第一绝缘图案的沟道。所述器件可以具有包括从沟道的外侧壁顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷俘获图案和阻挡图案的电荷存储结构。所述器件可以具有被所述隧道绝缘图案和所述电荷俘获图案围绕的掩埋图案结构。所述电荷俘获图案可以包括在水平方向上具有第一厚度的第一垂直部分和在所述水平方向上具有第二厚度的第二垂直部分，并且所述第一厚度可以小于或等于所述第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
垂直存储器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月17日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2019-0058112的优先权，通过引用将该申请的全部内容合并于此。
本专利技术构思涉及垂直存储器件。更具体地，本专利技术构思涉及具有垂直沟道的非易失性存储器件。
技术介绍
随着垂直存储器件中垂直堆叠的层数增加，为了缩小垂直存储器件，减小每层的厚度是至关重要的。然而，随着每层的厚度减小，在彼此垂直相邻的单元之间可能发生耦合，因此垂直存储器件的电特性可能劣化。
技术实现思路
示例实施例提供了一种具有改善的电特性的垂直存储器件。示例实施例提供了一种制造具有改善的电特性的垂直存储器件的方法。根据示例实施例，提供了一种垂直存储器件。所述垂直存储器件可以包括彼此间隔开并且在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上顺序堆叠的多个栅电极。所述多个栅电极可以包括第一栅电极和第二栅电极。所述垂直存储器件可以包括多个绝缘图案，所述多个绝缘图案包括位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直存储器件，包括：/n多个栅电极，所述多个栅电极彼此间隔开并且沿基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向顺序地堆叠，所述多个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极；/n多个绝缘图案，所述多个绝缘图案分别位于所述栅电极之间，所述多个绝缘图案包括位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的高度处的第一绝缘图案；/n沟道，所述沟道在所述衬底上沿所述垂直方向延伸，所述沟道至少穿透所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第一绝缘图案；/n电荷存储结构，所述电荷存储结构沿所述垂直方向延伸并覆盖所述沟道的外侧壁，所述电荷存储结构包括沿基本上平行于所述衬底的所述上表面的水平方向从所述沟道的所述外侧壁顺序地堆叠的隧道绝缘...

【技术特征摘要】
20190517 KR 10-2019-00581121.一种垂直存储器件，包括：
多个栅电极，所述多个栅电极彼此间隔开并且沿基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向顺序地堆叠，所述多个栅电极包括第一栅电极和第二栅电极；
多个绝缘图案，所述多个绝缘图案分别位于所述栅电极之间，所述多个绝缘图案包括位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的高度处的第一绝缘图案；
沟道，所述沟道在所述衬底上沿所述垂直方向延伸，所述沟道至少穿透所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第一绝缘图案；
电荷存储结构，所述电荷存储结构沿所述垂直方向延伸并覆盖所述沟道的外侧壁，所述电荷存储结构包括沿基本上平行于所述衬底的所述上表面的水平方向从所述沟道的所述外侧壁顺序地堆叠的隧道绝缘图案、电荷俘获图案和阻挡图案；以及
多个掩埋图案结构，所述多个掩埋图案结构包括第一掩埋图案结构，每个掩埋图案结构在所述沟道与相应的绝缘图案之间被所述隧道绝缘图案和所述电荷俘获图案围绕，每个掩埋图案结构包括与所述隧道绝缘图案接触的内侧壁和与所述电荷俘获图案接触的外侧壁，
其中，所述电荷俘获图案的第一部分的最大厚度小于或等于所述电荷俘获图案的第二部分的最大厚度，所述第一部分具有相对于所述衬底的所述上表面垂直的侧壁并且在所述水平方向上位于所述沟道与所述第一栅电极之间，所述第二部分具有相对于所述衬底的所述上表面垂直的侧壁并且在所述水平方向上位于所述沟道与所述第一绝缘图案之间。


2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述电荷俘获图案的厚度是恒定的。


3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第一掩埋图案结构的所述内侧壁沿所述水平方向向着所述沟道是凹状的。


4.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第一掩埋图案结构的所述内侧壁沿所述垂直方向延伸。


5.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第一掩埋图案结构的所述内侧壁沿所述水平方向向着所述沟道是凸状的。


6.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述第一掩埋图案结构包括沿所述水平方向从所述电荷俘获图案的侧壁顺序地堆叠的第一掩埋图案和第二掩埋图案。


7.根据权利要求6所述的垂直存储器件，其中，所述第一掩埋图案包括氧化硅，所述第二掩埋图案包括氧化硅或氮氧化硅之一。


8.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中，所述电荷俘获图案的所述第一部分和所述第二部分在所述水平方向上均具有恒定的厚度。


9.根据权利要求8所述的垂直存储器件，所述垂直存储器件还包括：
沟道连接图案，所述沟道连接图案位于所述衬底与所述第二栅电极之间，所述沟道连接图案包括掺杂有杂质的多晶硅。


10.一种垂直存储器件，包括：
位于衬底上的支撑图案和沟道连接图案；
位于所述支撑图案和所述沟道连接图案上的多个栅电极，所述栅电极在基本上垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上彼此间隔开；
分别位于所述栅电极之间的多个绝缘图案，所述多个绝缘图案包括位于两个相邻的栅电极之间的高度处的第一绝缘图案；
位于所述衬底上的多个沟道，每个所述沟道沿所述垂直方向延伸，并且穿透所述栅电极和所述绝缘图案；
电荷存储结构，所述电荷...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛京准，罗炫锡，郑润圭，李熙重，洪昇完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR