存储器及其制作方法技术

本申请公开了一种存储器及其制作方法，属于半导体制造技术领域。其包括衬底、堆叠层及沟道，堆叠层设置于衬底上，堆叠层包括沿第一方向交替叠置的隔离层和第一存储栅极层；沟道设置于衬底上且贯穿于堆叠层，沟道的第一部分沿第二方向上依次叠置有第二存储栅极层、阻挡层、电子捕获层、电子遂穿层和导电沟道层，沟道包括第一功能层，沿第一方向上每两个第一功能层之间存在第一距离，第一功能层包括第二存储栅极层、阻挡层和电子捕获层；其中，堆叠层的第一存储栅极层与沟道的第二存储栅极层对应。本申请可以有效减少相邻的第二存储栅极层之间的电子逃逸现象，从而有效提高该存储器存储数据的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其制作方法
本申请属于半导体制造
，具体涉及一种存储器及其制作方法。
技术介绍
近年来，随着闪存存储器的快速发展，三维(3D)闪存存储器的结构得到了迅速的发展，其中，存储器越来越广泛地应用在半导体器件中。存储器是一种拥有三维堆叠结构的闪存器件，存储器件是堆叠多个平面的存储器单元以实现更大存储容量并实现更低的每比特成本的器件，其最高可堆叠32层，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。目前存储器的制作工艺主要分为替代栅工艺和非替代栅工艺。对于替代栅工艺而言，专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：由于功能层中的所有结构均形成在沟道孔内，功能层中的电子捕获层是一个跨越所有存储单元的整体结构，从而导致在某一个存储单元中被捕获的电子会比较容易通过电子捕获层逃逸到相邻的存储单元中，从而发生数据存储错误。
技术实现思路
本申请实施例的目的是提供一种存储器及其制作方法，以解决现有技术中的存储器中容易发生电子逃逸的技术问题。为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n衬底(101)；/n堆叠层，所述堆叠层设置于所述衬底(101)上，所述堆叠层包括沿第一方向交替叠置的隔离层(102)和第一存储栅极层(103)；/n沟道，所述沟道设置于所述衬底(101)上且贯穿于所述堆叠层，所述沟道的第一部分沿第二方向上依次叠置有第二存储栅极层(115)、阻挡层(107)、电子捕获层(108)、电子遂穿层(111)和导电沟道层(112)，所述沟道包括第一功能层，沿所述第一方向上每两个所述第一功能层之间存在第一距离，所述第一功能层包括所述第二存储栅极层(115)、所述阻挡层(107)和所述电子捕获层(108)；/n其中，所述堆叠层的所述第一...

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底(101)；
堆叠层，所述堆叠层设置于所述衬底(101)上，所述堆叠层包括沿第一方向交替叠置的隔离层(102)和第一存储栅极层(103)；
沟道，所述沟道设置于所述衬底(101)上且贯穿于所述堆叠层，所述沟道的第一部分沿第二方向上依次叠置有第二存储栅极层(115)、阻挡层(107)、电子捕获层(108)、电子遂穿层(111)和导电沟道层(112)，所述沟道包括第一功能层，沿所述第一方向上每两个所述第一功能层之间存在第一距离，所述第一功能层包括所述第二存储栅极层(115)、所述阻挡层(107)和所述电子捕获层(108)；
其中，所述堆叠层的所述第一存储栅极层(103)与所述沟道的所述第二存储栅极层(115)对应。


2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述沟道还包括第二部分，所述第二部分和所述第一部分以所述沟道的中心轴为对称轴对称设置；
其中，所述第二部分沿所述第二方向上依次叠置有导电沟道层(112)、电子遂穿层(111)、电子捕获层(108)、阻挡层(107)和第二存储栅极层(115)。


3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向相垂直。


4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括公共源极(109)，所述公共源极(109)设置于所述衬底(101)上且贯穿于所述堆叠层。


5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述公共源极(109)设置有多个，多个所述公共源极(109)沿所述第二方向间隔设置于所述堆叠层内，相邻两个所述公共源极(109)之间存在第二距离。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王涛，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44