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提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括设置在基底上并且在竖直方向上彼此间隔开的栅电极。沟道在竖直方向上延伸并且与栅电极相邻地定位。隧道绝缘图案设置在沟道的外侧壁的与栅电极中的每个相邻的部分上。电荷俘获图案结构设置在隧道绝缘图案与栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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