包括垂直存储器的集成电路装置制造方法及图纸

提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括多条字线、堆叠在多条字线上的串选择线结构以及在竖直方向上延伸穿过多条字线和串选择线结构的多个沟道结构。串选择线结构包括串选择弯折线，串选择弯折线包括在比多条字线的水平高的第一水平处沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平处沿水平方向延伸的上水平延伸部以及连接在下水平延伸部与上水平延伸部之间的竖直延伸部。

【技术实现步骤摘要】
包括垂直存储器的集成电路装置要求于2019年6月11日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0068802号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
专利技术构思涉及集成电路装置，更具体地，涉及包括垂直存储器的集成电路装置。
技术介绍
随着信息通信设备变得多功能，对更高存储器容量和更高集成度的需求增大。另外，由于随着存储器单元尺寸减小，存储器电路和线结构的操作和电连接正变得越来越复杂。
技术实现思路
根据专利技术构思的方面，提供了一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：基底，包括主表面；多条字线，在基底之上沿与基底的主表面平行的水平方向延伸并在竖直方向上彼此叠置；串选择线结构，堆叠在多条字线上；以及多个沟道结构，在竖直方向上延伸穿过所述多条字线和串选择线结构。串选择线结构包括串选择弯折线，串选择弯折线包括在比所述多条字线高的第一水平处沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一水平高的第二水平处沿水平方向延伸的上水平延伸部以及连接在下水平延伸部与上水平延伸部之间的竖直延伸部。根据专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：/n基底，包括主表面；/n多条字线，在基底之上沿与基底的主表面平行的水平方向延伸并在竖直方向上彼此叠置；/n串选择线结构，堆叠在所述多条字线上；以及/n多个沟道结构，在竖直方向上延伸穿过所述多条字线和串选择线结构，/n其中，串选择线结构包括串选择弯折线，串选择弯折线包括在比所述多条字线高的第一高度处沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一高度高的第二高度处沿水平方向延伸的上水平延伸部以及连接在下水平延伸部与上水平延伸部之间的竖直延伸部。/n

【技术特征摘要】
20190611 KR 10-2019-00688021.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
基底，包括主表面；
多条字线，在基底之上沿与基底的主表面平行的水平方向延伸并在竖直方向上彼此叠置；
串选择线结构，堆叠在所述多条字线上；以及
多个沟道结构，在竖直方向上延伸穿过所述多条字线和串选择线结构，
其中，串选择线结构包括串选择弯折线，串选择弯折线包括在比所述多条字线高的第一高度处沿水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一高度高的第二高度处沿水平方向延伸的上水平延伸部以及连接在下水平延伸部与上水平延伸部之间的竖直延伸部。


2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
串选择线结构还包括下串选择线，下串选择线在与串选择弯折线的下水平延伸部间隔开的位置处在第一高度处沿水平方向延伸，并且下串选择线包括在竖直方向上与串选择弯折线的上水平延伸部叠置的部分。


3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
串选择线结构还包括中间串选择线，中间串选择线在与串选择弯折线的上水平延伸部间隔开的位置处在第二高度处沿水平方向延伸。


4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
串选择线结构还包括上串选择线，上串选择线在与串选择弯折线的上水平延伸部间隔开的位置处在第二高度处沿水平方向延伸，并且上串选择线包括在竖直方向上与串选择弯折线的下水平延伸部叠置的部分。


5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
所述多条字线中的每条在基底之上延伸跨越在水平方向上顺序地布置的三个串选择区域，并且
串选择弯折线仅布置在所述三个串选择区域之中的两个串选择区域中。


6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，
所述多条字线中的每条在基底之上延伸跨越在水平方向上顺序地布置的第一串选择区域、第二串选择区域和第三串选择区域，并且
所述多个沟道结构包括：
多个第一沟道结构，在第一串选择区域中穿过所述多条字线并且不穿过串选择弯折线；
多个第二沟道结构，在第二串选择区域中穿过所述多条字线和串选择弯折线的上水平延伸部；以及
多个第三沟道结构，在第三串选择区域中穿过所述多条字线和串选择弯折线的下水平延伸部。


7.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：
基底，包括主表面；
一对字线切割区域，在基底之上沿第一水平方向纵向地延伸，并且在与第一水平方向垂直的第二水平方向上彼此间隔开且使单元块区域位于所述一对字线切割区域之间，第一水平方向和第二水平方向与基底的主表面平行；
多条字线，在单元块区域中沿与基底的主表面平行的第三水平方向延伸，并且在竖直方向上彼此叠置；
串选择线结构，在单元块区域中堆叠在所述多条字线上；以及
多个沟道结构，在单元块区域中沿竖直方向延伸穿过所述多条字线和串选择线结构，
其中，串选择线结构包括串选择弯折线，串选择弯折线包括在比所述多条字线高的第一高度处沿第三水平方向延伸的下水平延伸部、在比第一高度高的第二高度处沿第三水平方向延伸的上水平延伸部以及连接在下水平延伸部与上水平延伸部之间的竖直延伸部。


8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，
单元块区域包括在第二水平方向上顺序地布置的第一串选择区域、第二串选择区域和第三串选择区域，并且
串选择弯折线仅布置在第一串选择区域、第二串选择区域和第三串选择区域之中的第二串选择区域和第三串选择区域中。


9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中，
串选择线结构还包括下串选择线，下串选择线仅布置在第一串选择区域、第二串选择区域和第三串选择区域之中的第一串选择区域和第二串选择区域中，并且在第一高度处沿第三水平方向延伸，并且
下串选择线和串选择弯折线的上水平延伸部在第二串选择区域中在竖直方向上彼此叠置。


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【专利技术属性】
技术研发人员：金宽容，沈善一，赵源锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR