【技术实现步骤摘要】
三维存储器结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种三维存储器结构及其制备方法。
技术介绍
在半导体晶圆的制造工艺中，适当的晶圆翘曲度是保持工艺制程稳定的重要因素。异常的晶圆翘曲往往会导致设备发生报警，有时甚至会导致晶圆在传送过程中从机械手臂上滑落或者在设备的晶圆卡盘上发生跳片。这不但影响了制品的正常作业，也极易引发碎片等导致晶圆报废的异常情况。此外，晶圆的异常翘曲还会对光刻、刻蚀和键合等图形精确性要求高的工艺造成不利影响。目前，在3DNAND存储器的制造工艺中，由于其具有复杂的三维结构，且三维结构在工艺过程中涉及多道刻蚀、薄膜沉积和热处理过程，其所引发的晶圆翘曲问题尤为明显。为了避免晶圆翘曲所导致的异常，技术人员往往需要对制程中生长的各膜层的应力进行精确细致的调整，或者在晶圆背面追加生长应力调节膜层，以使晶圆翘曲度符合工艺规格。然而，对于各膜层应力的调节往往需要技术人员针对不同的产品和制程进行对应的调整和优化，这不但增加了制程的工艺复杂度，对于晶圆翘曲的改善效果也较为有限。而追加...
【技术保护点】
1.一种三维存储器结构，其特征在于，包括：/n半导体衬底；/n堆叠结构，其形成于所述半导体衬底的上方，由栅极层和绝缘层交替层叠构成；/n多个栅线隙结构，其相互间隔地沿平行于所述半导体衬底表面的方向排列于所述堆叠结构中；多个所述栅线隙结构将所述堆叠结构分隔为多个存储块，并将多个所述存储块进一步分隔为多个指存储区；/n多个墙结构，其形成于分隔多个所述存储块的所述栅线隙结构中，并将所述栅线隙结构隔断为多段；/n多个连通结构，其形成于分隔同一所述存储块中的多个所述指存储区的所述栅线隙结构中，并连通相邻的所述指存储区；/n多个沟道结构，其形成于所述堆叠结构中，分布于相邻的所述栅线隙结...
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
堆叠结构，其形成于所述半导体衬底的上方，由栅极层和绝缘层交替层叠构成；
多个栅线隙结构，其相互间隔地沿平行于所述半导体衬底表面的方向排列于所述堆叠结构中；多个所述栅线隙结构将所述堆叠结构分隔为多个存储块，并将多个所述存储块进一步分隔为多个指存储区；
多个墙结构，其形成于分隔多个所述存储块的所述栅线隙结构中，并将所述栅线隙结构隔断为多段；
多个连通结构，其形成于分隔同一所述存储块中的多个所述指存储区的所述栅线隙结构中，并连通相邻的所述指存储区；
多个沟道结构，其形成于所述堆叠结构中，分布于相邻的所述栅线隙结构之间，并沿垂直于所述半导体衬底表面的方向贯穿所述堆叠结构。
2.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于：将多个所述栅线隙结构的排列方向定义为第一方向，将所述栅线隙结构的延伸方向定义为第二方向，相邻的所述栅线隙结构中的所述墙结构与所述连通结构在所述第一方向上相互交错排列。
3.根据权利要求2所述的三维存储器结构，其特征在于：同一所述栅线隙结构中的多个所述墙结构或所述连通结构在所述第二方向上具有相同的间距。
4.根据权利要求2所述的三维存储器结构，其特征在于：单个所述墙结构或所述连通结构在所述第二方向上的长度小于相邻的所述栅线隙结构在所述第一方向上的间距。
5.根据权利要求2所述的三维存储器结构，其特征在于：相邻的所述栅线隙结构中的所述连通结构在所述第一方向上相互交错排列。
6.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于：所述墙结构由绝缘材料构成；所述连通结构由栅极层和绝缘层交替层叠构成，并连通所述栅线隙结构两侧的所述堆叠结构。
7.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于：还包括：
顶部选择栅，其由所述堆叠结构的顶部的至少一层所述栅极层构成；
顶部选择栅隔离结构，其将所述顶部选择栅分隔为多个条状的顶部选择栅分区；所述顶部选择栅分区与所述指存储区具有相同的延伸方向。
8.根据权利要求1所述的三维存储器结构，其特征在于：还包括：
阵列共源极结构，其形成于所述栅线隙结构中，通过所述栅线隙结构与所述栅极层隔离；
接触孔结构，其形成于所述栅线隙结构上方，并在底部电性连接所述阵列共源极结构。
9.一种三维存储器结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底的上方形成由栅极牺牲层和绝缘层交替层叠构成的堆叠结构；
在所述堆叠结构中形成多个沟道结构，所述沟道结构分布于相邻的栅线隙结构的设计位置之间，并沿垂直于所述半导体衬底上表面的方向贯穿所述堆叠结构；
在分隔多个存储块的栅线隙结构的设计位置上形成多个墙结构，所述墙结构将所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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