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本发明提供了一种三维存储器结构及其制备方法，结构包括：半导体衬底；由栅极层和绝缘层交替层叠构成的堆叠结构；将堆叠结构分隔为多个存储块及指存储区的多个栅线隙结构；多个墙结构和多个连通结构，其形成于栅线隙结构中；形成于堆叠结构中的多个沟道结构。...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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