【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于形成具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件的方法
本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制作方法。
技术介绍
通过改进工艺技术、电路设计、程序设计算法和制作工艺使平面存储单元缩小到了更小的尺寸。但是，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面加工和制作技术变得更加困难，而且成本更加高昂。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储架构能够解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列以及用于控制去往和来自存储阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
公开了3D存储器件及其制作方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔。沿沟道孔的侧壁依次形成各自遵循梅花形状的阻挡层、电荷捕集层、隧穿层和半导体沟道层。在半导体沟道层之上形成蚀刻停止层，使得蚀刻停止层在梅花形状的每一顶点处的顶点厚度大于蚀刻停止层在梅花形状的边缘处的边缘厚度。去除蚀刻停止层的在梅花形状的边缘处的部分，以露出半导体沟道层的在梅花形状...
【技术保护点】
1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：/n形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔；/n沿所述沟道孔的侧壁依次形成各自遵循所述梅花形状的阻挡层、电荷捕集层、隧穿层和半导体沟道层；/n在所述半导体沟道层之上形成蚀刻停止层，使得所述蚀刻停止层在所述梅花形状的每一顶点处的顶点厚度大于所述蚀刻停止层在所述梅花形状的边缘处的边缘厚度；/n去除所述蚀刻停止层的在所述梅花形状的所述边缘处的部分，以露出所述半导体沟道层的在所述梅花形状的所述边缘处的部分；以及/n去除所述半导体沟道层的在所述梅花形状的所述边缘处的所述部分，以将所述半导体沟道层分成各自在所述梅花形...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：
形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔；
沿所述沟道孔的侧壁依次形成各自遵循所述梅花形状的阻挡层、电荷捕集层、隧穿层和半导体沟道层；
在所述半导体沟道层之上形成蚀刻停止层，使得所述蚀刻停止层在所述梅花形状的每一顶点处的顶点厚度大于所述蚀刻停止层在所述梅花形状的边缘处的边缘厚度；
去除所述蚀刻停止层的在所述梅花形状的所述边缘处的部分，以露出所述半导体沟道层的在所述梅花形状的所述边缘处的部分；以及
去除所述半导体沟道层的在所述梅花形状的所述边缘处的所述部分，以将所述半导体沟道层分成各自在所述梅花形状的相应顶点处的多个半导体沟道。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述梅花形状包括多个花瓣，并且所述半导体沟道分别形成在所述多个花瓣中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述花瓣或者所述半导体沟道的数量大于2。
4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的方法，其中，依次形成所述阻挡层、所述电荷捕集层、所述隧穿层和所述半导体沟道层包括沿所述沟道孔的所述侧壁依次沉积氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层和多晶硅层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述沉积包括原子层沉积(ALD)。
6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的方法，其中，所述半导体沟道层的厚度在所述平面图中是标称均匀的。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述半导体沟道层的所述厚度在大约10nm与大约15nm之间。
8.根据权利要求1-7中的任何一项所述的方法，其中，形成所述蚀刻停止层包括在不填满所述沟道孔的情况下使用ALD在所述半导体沟道层之上沉积氧化硅层。
9.根据权利要求1-8中的任何一项所述的方法，其中，去除所述蚀刻停止层的所述部分包括对所述蚀刻停止层进行湿蚀刻，直到蚀刻掉所述蚀刻停止层的在所述梅花形状的所述边缘处的所述部分为止，留下所述蚀刻停止层的在所述梅花形状的每一顶点处的剩余部分。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述半导体沟道层的所述部分包括对所述半导体沟道层进行湿蚀刻，直到被所述蚀刻停止层的所述剩余部分停止为止。
11.根据权利要求1-10中的任何一项所述的方法，进一步包括：在去除了所述半导体沟道层的所述部分之后形成帽盖层以填充所述沟道孔。
12.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：
形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔；
沿所述沟道孔的侧壁依次形成各自遵循所述梅花形状的阻挡层、电荷捕集层和隧穿层；
在所述隧穿层之上形成半导体沟...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿万波，薛磊，刘小欣，高庭庭，程卫华，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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