温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。形成在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有梅花形状的沟道孔。沿沟道孔的侧壁从外侧到内侧按下述顺序形成各自遵循梅花形状的连续阻挡层、连续电荷捕集层...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。