具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件制造技术

公开了三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种3D存储器件包括：衬底以及在衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有包括多个花瓣的梅花形状的沟道结构。该沟道结构包括分别在多个花瓣中的多个半导体沟道。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有拥有梅花形状的沟道结构的三维存储器件
本公开的实施例涉及三维(3D)存储器件及其制作方法。
技术介绍
通过改进工艺技术、电路设计、程序设计算法和制作工艺使平面存储单元缩小到了更小的尺寸。但是，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面加工和制作技术变得更加困难，而且成本更加高昂。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储架构能够解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列以及用于控制去往和来自存储阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
公开了3D存储器件及其制作方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底以及在衬底以上垂直延伸并且在平面图中具有包括多个花瓣的梅花形状的沟道结构。该沟道结构包括分别处于多个花瓣中的多个半导体沟道。在另一示例中，一种3D存储器件包括在平面图中按下述顺序从外侧到内侧的各自遵循梅花形状的连续阻挡层、连续电荷捕集层和连续隧穿层。3D存储器件还包括各自设置在连续隧穿层的处于梅花形状的相应顶点处的部分之上的多个分开的半导体沟道。在又一示例中，一种3D存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n衬底；以及/n在所述衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有包括多个花瓣的梅花形状的沟道结构，/n其中，所述沟道结构包括分别在所述多个花瓣中的多个半导体沟道。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器件，包括：
衬底；以及
在所述衬底之上垂直地延伸并且在平面图中具有包括多个花瓣的梅花形状的沟道结构，
其中，所述沟道结构包括分别在所述多个花瓣中的多个半导体沟道。


2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述花瓣或者所述半导体沟道的数量大于2。


3.根据权利要求1或2所述的3D存储器件，其中，所述多个半导体沟道相互分开。


4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道中的每者的厚度在所述平面图中是标称均匀的。


5.根据权利要求4所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道的所述厚度在大约10nm与大约15nm之间。


6.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道中的每者的厚度在所述平面图中是不均匀的。


7.根据权利要求1-6中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述沟道结构进一步包括在所述平面图中按下述顺序从外侧到内侧的阻挡层、电荷捕集层和隧穿层，并且所述阻挡层、所述电荷捕集层和所述隧穿层中的每者是遵循所述沟道结构的所述梅花形状的连续层。


8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，所述阻挡层、所述电荷捕集层和所述隧穿层中的每者的厚度在所述平面图中是标称均匀的。


9.根据权利要求7或8所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道中的每者被设置在所述隧穿层的在所述花瓣中的相应一者的顶点处的部分之上。


10.根据权利要求7-9中的任何一项所述的3D存储器件，进一步包括填充所述沟道结构的剩余空间的帽盖层。


11.根据权利要求7-10中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述阻挡层、所述电荷捕集层和所述隧穿层分别包括氧化硅、氮化硅和氧化硅。


12.根据权利要求1-11中的任何一项所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道中的每者包括多晶硅。


13.一种三维(3D)存储器件，包括：
在平面图中按下述顺序从外侧到内侧的各自遵循梅花形状的连续阻挡层、连续电荷捕集层和连续隧穿层；以及
各自设置在所述连续隧穿层的在所述梅花形状的相应顶点处的部分之上的多个分开的半导体沟道。


14.根据权利要求13所述的3D存储器件，其中，所述阻挡层、所述电荷捕集层、所述隧穿层和每个半导体沟道分别包括氧化硅、氮化硅、氧化硅和多晶硅。


15.根据权利要求13或14所述的3D存储器件，其中，所述半导体沟道的数量大于2。


16.根据权利要求13-15...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿万波，薛磊，刘小欣，高庭庭，程卫华，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42