【技术实现步骤摘要】
透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器及其制备方法
本专利技术涉及一种p-i-n型紫外光探测器及其制备方法，特别是涉及一种Ga2O3薄膜日盲型紫外光探测器及其制备方法，应用于无机非金属材料电子器件制造工艺领域。
技术介绍
紫外(UV)光电探测器在民用和军用方面有众多应用，比如生物/化学分析、火焰传感、隐蔽空对空通信、导弹跟踪和环境检测等。由于大气中的臭氧和水蒸气颗粒物对深紫外光具有极强的吸收，因此波长短于280nm的太阳辐射在地球表面几乎不存在，所以称这段光为日盲区。由于日盲区的自然背景低，在此光谱范围中工作的光电探测器具有高信噪比和低误报率等优点。然而，商业上所使用的日盲探测器通常是体积庞大并且易碎的光电倍增管，并且需要大的偏置电压，从而限制了它们的使用。宽禁带(WBG)半导体有许多优点，如高辐射强度和固有日盲吸收特性，这些为开发高性能宽禁带日盲光电探测器提供可能，宽禁带日盲光电探测器被认为是光电倍增管的潜在替代品。近年来，已经有各种各样的宽禁带半导体被用于研究设计日盲光电探测器，包括AlxGa1-x...
【技术保护点】
1.一种透明Ga
【技术特征摘要】
1.一种透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器，其特征在于：依次由衬底、p型NiO薄膜、i层Ga2O3薄膜、n型的硼、镓共掺的氧化锌(BGZO)薄膜和Au电极进行层叠组装而成，构成透明薄膜探测器结构，衬底采用石英玻璃。
2.根据权利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器，其特征在于，Ga2O3的禁带宽度为4.9eV，所对应的探测波段处于200-280nm日盲区的中间部位；探测器采用p-i-n型结构增大耗尽区的宽度，提高器件的响应度。
3.根据权利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器，其特征在于，p型NiO薄膜厚度为100-300nm。
4.根据权利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器，其特征在于，i层Ga2O3薄膜厚度为200-400nm。
5.根据权利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器，其特征在于，硼、镓共掺的氧化锌薄膜厚度为50-200nm。
6.根据权利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器，其特征在于，Au电极厚度为50-100nm。
7.一种权利要求1所述透明Ga2O3的p-i-n异质结构日盲型紫外光探测器的制备方法，其特征在于，包括如...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄健，尚艺，陈卓睿，别佳瑛，黄浩斐，唐可，王林军，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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