一种光电探测器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种光电探测器，包括工作电极，所述工作电极包括基底以及设置于所述基底上的硫化铅纳米片；所述硫化铅纳米片的厚度为1～5nm，所述硫化铅纳米片的尺寸小于等于20nm。本发明专利技术光电探测器利用超小超薄的硫化铅纳米片的光电响应制备成探测器，该超小超薄的硫化铅纳米片具有稳定性能好、光电响应显著、制备过程简单等优点。本发明专利技术还提供了该光电探测器的制备方法和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种光电探测器及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体电子器件领域，具体涉及一种光电探测器，本专利技术还涉及该光电探测器的制备方法和应用。
技术介绍
硫化铅由于其较窄的带隙和较大的波尔半径，被广泛应用于新型光学器件的制备。研究表明将材料的形貌从纳米晶体转变为纳米片后，其光谱性质会产生较大的变化，例如表现出较短的光致发光寿命，明显的斯托克斯位移以及受到抑制的俄歇复合。因此，硫化铅纳米片的制备受到广泛的关注。目前常用的制备方法有定向附着、单分子前驱体法、阳离子交换法、两相法和化学外延法等，然而上述方法均属于自上而下策略，制备所得的硫化铅纳米片的尺寸较大(百纳米级)。此外，超薄(通常小于10nm)的硫化铅纳米片表现出强烈的Rashba自旋轨道耦合性质，这是高质量自旋电子器件的关键和难点所在。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种光电探测器，本专利技术还提供了该光电探测器的制备方法和应用，通过提供一种超小超薄的硫化铅纳米片并将其应用于光电探测器，用以丰富现有光电探测器的种类，提升现有光电探测器的性能。第一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括工作电极，所述工作电极包括基底以及设置于所述基底上的硫化铅纳米片；/n所述硫化铅纳米片的厚度为1～5nm，所述硫化铅纳米片的尺寸小于等于20nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括工作电极，所述工作电极包括基底以及设置于所述基底上的硫化铅纳米片；
所述硫化铅纳米片的厚度为1～5nm，所述硫化铅纳米片的尺寸小于等于20nm。


2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述硫化铅纳米片的厚度为2～5nm，所述硫化铅纳米片的尺寸为6～17nm。


3.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述基底包括ITO透明导电玻璃或者FTO透明导电玻璃，所述硫化铅纳米片设置于表面镀有ITO或FTO导电层的玻璃一面。


4.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述基底包括ITO或FTO导电柔性薄膜。


5.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备硫化铅纳米片：提供硫化铅预剥离液，采用水浴超声的方法对硫化铅预剥离液进行液相剥离，超声完后离心收集硫化铅纳米片并干燥，制得硫化铅纳米片；
制备工作电极：提供PVDF的DMF溶液，将硫化铅纳米片分散于PVDF的DMF溶液，制得硫化铅纳米片的分散液，将硫化铅纳米片的分散液通过滴加的方法均匀涂覆在工作电极的基底上、干燥，制得工作电极；
制备光电探测器：提供对电极、电解质溶液，配合所述工作电极组装成光电探测器；

【专利技术属性】
技术研发人员：张晗，高凌锋，陈华龙，张家宜，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44