一种Cu基半导体材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种Cu基半导体材料，其特征在于，Cu基半导体材料的成分为Cu

【技术实现步骤摘要】
一种Cu基半导体材料及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体材料领域，尤其是涉及一种Cu基半导体材料及其制备方法和应用。
技术介绍
近年来随着人们对环境的重视，对新能源的需要变得越来越迫切，太阳能成为新型能源被广泛利用。现今，太阳能已成为人类使用能源的重要组成部分，尤其是能源危机及传统能源对环境污染程度日趋严重，更加快了人类对太阳能探索的步伐。开发清洁环保能源成为人类面临的重大问题，研究太阳能电池因此也成为21世纪科学研究的重要领域之一。目前半导体的应用领域十分广阔，在太阳能电池方面最为突出，这就要求半导体材料有较强的光学吸收。而传统的半导体材料只能吸收带隙附近的光子，很难再提高它的光学吸收，其大规模普及与应用受到一定程度的限制。目前现有的这种技术很难满足市场的需要。现阶段，太阳能电池吸收层光学吸收效率比较低，主要原因是传统的半导体材料(如Cu3NbS4材料)只能吸收带隙附近的光子，而一些低于带隙能量的光子不能被半导体吸收，高于带隙的光子很难被利用。杂质带半导体材料的匮乏与制备技术还不够成熟，这一系列的问题导致杂质带半导体发展受本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Cu基半导体材料，其特征在于，Cu基半导体材料的成分为Cu

【技术特征摘要】
1.一种Cu基半导体材料，其特征在于，Cu基半导体材料的成分为Cu3Nb1-xMoxS4，其中0＜x≤0.1为原子百分比，所述的Cu基半导体材料为三元混合硫化物。


2.根据权利要求1所述的一种Cu基半导体材料，其特征在于，所述的Cu基半导体材料的成分为Cu3Nb0.9Mo0.1S4。


3.根据权利要求1所述的一种Cu基半导体材料，其特征在于，所述的Cu基半导体材料的太阳能吸收能力与Mo的原子百分比呈正比。


4.根据权利要求1所述的一种Cu基半导体材料，其特征在于，所述的Cu3Nb1-xMoxS4为具有孤立半满中间能带的半导体材料。


5.一种权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张栋栋，陈平，赵春燕，曹慧敏，符磊，
申请(专利权)人：上海电机学院，
类型：发明
国别省市：上海;31