一种基于磷硒化锰(MnPSe制造技术

本发明专利技术公开了一种基于二维半导体材料MnPSe

【技术实现步骤摘要】
一种基于磷硒化锰(MnPSe3)的光电晶体管
本专利技术涉及二维材料光电探测
，特别是涉及一种基于二维(2D)磷硒化锰(MnPSe3)材料的光电晶体管，具有光电灵敏度高、响应速度快，物理化学性质稳定、成本低廉，抗干扰能力强等特点。
技术介绍
随着半导体工业的快速发展，芯片上集成的电子元件数目从最初的几个发展到现在的几十亿个。摩尔预言了半导体集成密度的发展速度，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这一摩尔定律揭示了信息技术进步的速度，一直延续至今。芯片的面积不变，而承载的元器件个数不断迅猛增加，这必然要求单个电子元件的尺寸要不断缩小。但是随着晶体管尺寸进入10nm的工艺节点，在保持器件性能的前提下，器件的加工难度和制备成本显著提高，摩尔定律面临着瓶颈。由于传统半导体器件尺寸被极度地缩小，短沟道效应对器件的影响十分显著。为了保持栅压对沟道的控制能力，沟道必须减薄。一个潜在的解决办法就是寻找具有平整无悬挂键表面的超薄半导体材料。以石墨烯为代表的二维半导体材料为半导体芯片的研发注入了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于层状MnPSe

【技术特征摘要】
1.一种基于层状MnPSe3材料的光电探测器，包括：Si/SiO2衬底、MnPSe3薄膜、源漏电极和门电极。其特征在于：提出基于少层MnPSe3的光电晶体管，包括各种敏化、杂交、修饰、层叠、悬空等衍生结构。利用机械剥离技术剥离少层MnPSe3到Si/SiO2衬底上，然后通过微加工技术和镀膜技术制备器件。


2.按权力要求1所述的MnPSe3光电晶体管，其特征在于：Si/SiO2衬底可以是高掺n或p型Si。


3.按权力要求1所述的MnPSe3光电晶体管，其特征在于：MnPSe3包括各种MnPSe3结构(菱方结构)的各种非正分比例。


4.按权力要求1所述的MnPSe3光电晶体管，其特征在于：MnPSe3薄膜厚度控制在单层到100nm之...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢杰，韩旭，徐光远，荣东珂，郝会颖，刘昊，
申请(专利权)人：中国地质大学北京，
类型：发明
国别省市：北京;11