光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52，通过将CIGS材料作为吸收层的材料并通过调节CIGS吸收层中Cu元素和/或Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例来降低光电探测器的暗电流，从而提升光电探测器的性能。本申请的光电探测器阵列通过对整面探测器基片进行刻蚀获得阵列设置的多个光电探测器，相对于整面探测器降低了有效接触面积，进一步提升了光电探测性能。

【技术实现步骤摘要】
光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及探测器
，尤其涉及一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器用于将光信号转换为电信号，其被广泛的应用于科研、工业、军用等领域。CIGS(铜铟镓硒)材料具有优异的光电性能，CIGS薄膜的带隙在1.02～1.67eV之间变化，同时，在已有的半导体材料中，CIGS材料具有最高的光吸收系数，此外，CIGS材料还具有良好的抗辐照特性以及较好的稳定性，这些优点使CIGS薄膜太阳能电池成为新一代太阳能电池中发展最快、应用前景最好的一类电池。近年来有人开始着眼于将CIGS应用于光电探测器领域，如何提升探测器的性能是本领域有待解决的一个难题。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足，本专利技术提供一种光电探测器阵列及其制备方法、光电探测器及其制备方法，能够降低光电探测器的暗电流，从而提升整个光电探测器的性能。本专利技术提出的具体技术方案为：一种光电探测器，所述光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的背电极、CIGS吸收层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，所述CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或，所述CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的背电极、CIGS吸收层、缓冲层、窗口层及透明电极层，所述CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.7～1；和/或，所述CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.48～0.52。


2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述CIGS吸收层中Cu元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.81。


3.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述CIGS吸收层中Ga元素的物质的量与Ga、In元素物质的量之和的比例为0.5。


4.根据权利要求1～3任一项所述的光电探测器，其特征在于，所述CIGS吸收层的厚度为1～2μm。


5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述窗口层的材质为本征氧化锌，所述窗口层的厚度为50～100nm。


6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述背电极的材质为钼，所述背电极的厚度为600～800nm；和/或，所述缓冲层的材质为CdS，所述缓冲层的厚度为50～80nm；和/或，所述透明电极层的材质为Al掺杂的ZnO，所述透明电极层的厚度为100～300nm。


7.一种光电探测器阵列，其特征在于，包括呈阵列设置的多个如权利要求1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠国，陈明，王宗朋，王政焱，易成汉，徐国良，贾美玲，汪智伟，周长著，刘宇，杨春雷，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44