一种带导光结构的光电二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种带导光结构的光电二极管及其制作方法，包括衬底、光电转换结构和导光结构，光电转换结构设于所述衬底之上且顶面设有收光口，导光结构包括设于收光口之上的锥形导光孔和设于锥形导光孔内侧壁的高反射层，其中锥形导光孔由覆盖光电转换结构顶部的有机聚合物层开口形成，锥形导光孔的底部孔径与所述收光口相对应，顶部孔径大于底部孔径。本发明专利技术在光电二极管光敏面上利用半导体微加工技术制作了一个具有较大收光孔径的导光结构，可提高光纤耦合效率，降低封装成本。

【技术实现步骤摘要】
一种带导光结构的光电二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种带导光结构的光电二极管及其制作方法。
技术介绍
随着通讯技术的发展，用于光接收的光电探测器的速率要求越来越高。为了达到更高的速率，必须降低光电探测器的结电容，也就是减小收光面的直径。目前，25GInGaAs高速探测器的光敏面直径普遍在20μm左右，而更高速率的探测器光敏面直径更小。小光敏面探测器导致耦合效率低，良品率差，直接影响高速光模块产品的成本降低。为了提升高速光电探测器的耦合效率，目前采用衬底背面集成微透镜的技术方案。这一技术方案虽然可以降低耦合难度，但同时也存在明显的弊端，比如增加了工艺复杂程度，良率偏低，并且芯片还需要filp-chip工艺，将芯片倒装到载体上才能使用，芯片体积偏大。这些都导致芯片加工成本明显增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种带导光结构的光电二极管及其制作方法。为了实现以上目的，本专利技术的技术方案为：一种带导光结构的光电二极管，包括衬底、光电转换结构和导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带导光结构的光电二极管，其特征在于：包括衬底、光电转换结构和导光结构；所述光电转换结构设于所述衬底之上且顶面设有收光口，所述导光结构包括设于所述收光口之上的锥形导光孔和设于所述锥形导光孔内侧壁的高反射层，其中所述锥形导光孔由覆盖所述光电转换结构顶部的有机聚合物层开口形成，所述锥形导光孔的底部孔径与所述收光口相对应，顶部孔径大于底部孔径。/n

【技术特征摘要】
1.一种带导光结构的光电二极管，其特征在于：包括衬底、光电转换结构和导光结构；所述光电转换结构设于所述衬底之上且顶面设有收光口，所述导光结构包括设于所述收光口之上的锥形导光孔和设于所述锥形导光孔内侧壁的高反射层，其中所述锥形导光孔由覆盖所述光电转换结构顶部的有机聚合物层开口形成，所述锥形导光孔的底部孔径与所述收光口相对应，顶部孔径大于底部孔径。


2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：所述收光口的孔径不大于30μm，所述锥形导光孔的顶部孔径是所述收光口孔径的1.1～10倍。


3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：所述锥形导光孔的侧壁与水平面的外夹角为30°～70°。


4.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：所述有机聚合物层具有感光特性，材料是PI、PMMA、光刻胶或BCB，所述锥形导光孔的高度为3～100μm。


5.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：所述高反射层的在所述光电二极管的工作波段的反射率大于80％，厚度大于10nm。


6.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于：所述高反射层的材料是金属。


7.根据权利要求1所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张江勇，杨健，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35