一种连续制备透明导电薄膜的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种连续制备透明导电薄膜的方法及装置，所述方法是将沉积缓冲层后的衬底先磁控溅射本征ZnO膜层，之后磁控溅射掺杂Al的ZnO透明导电膜层；其中，磁控溅射本征ZnO膜层采用的靶材为掺杂0.1‑0.5wt％Al的ZnO，腔室压力为0.134‑0.412pa，通入Ar气流量为20‑50sccm，通入氧气流量为13‑20sccm。采用本发明专利技术的方法，能够提高光的透过性。制备的透明导电薄膜均一性较好，色差较小。

【技术实现步骤摘要】
一种连续制备透明导电薄膜的方法及装置
本专利技术涉及透明导电薄膜制造
，尤其涉及一种连续制备透明导电薄膜的方法及装置。
技术介绍
随着材料科学的发展，透明导电薄膜由于其独特的性能在半导体、新能源等器件中获得了广泛的应用。常见的有SnO2-x、In2O3-x、ZnO等。相较于金属透明薄膜来说，半导体透明薄膜具备透明度高，机械性能好，膜层粘附力强等优点。对于CIGS薄膜太阳能电池来说，考虑到制备成膜温度、晶格和带隙匹配、经济性、环境友好等原因，窗口层通常用的透明导电薄膜是ZnO。CIGS薄膜太阳能电池的结构如图1所示。为了提高CIGS太阳能电池的效率，窗口层ZnO透明导电薄膜分为两步制成。第一层是本征ZnO，由于本征ZnO为高阻，提高了光生载流子的寿命。第二层是掺杂了Al的ZnO层，保证具有很高的光透过率的同时也具有优秀的导电性。然而，现有技术中存在如下缺陷：1、目前技术所制备的CIGS窗口层ZnO透明导电薄膜因为光透过率、表面缺陷、厚度控制等原因造成CIGS太阳能电池低效。2、目前的技术无法实现针对柔性CIG本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种连续制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述方法是将沉积缓冲层后的衬底先磁控溅射本征ZnO膜层，之后磁控溅射掺杂Al的ZnO透明导电膜层；其中，磁控溅射本征ZnO膜层采用的靶材为掺杂0.1-0.5wt％Al的ZnO，腔室压力为0.134-0.412pa，通入Ar气流量为20-50sccm，通入氧气流量为13-20sccm。/n

【技术特征摘要】
1.一种连续制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述方法是将沉积缓冲层后的衬底先磁控溅射本征ZnO膜层，之后磁控溅射掺杂Al的ZnO透明导电膜层；其中，磁控溅射本征ZnO膜层采用的靶材为掺杂0.1-0.5wt％Al的ZnO，腔室压力为0.134-0.412pa，通入Ar气流量为20-50sccm，通入氧气流量为13-20sccm。


2.根据权利要求1所述连续制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射本征ZnO膜层的腔室包括依次设置的第一磁控溅射腔室、第二磁控溅射腔室、第三磁控溅射腔室和第四磁控溅射腔室，所述沉积缓冲层后的衬底依次通过第一磁控溅射腔室、第二磁控溅射腔室、第三磁控溅射腔室和第四磁控溅射腔室后，控制本征ZnO膜层的厚度为60-70nm。


3.根据权利要求2所述连续制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述第一磁控溅射腔室、第二磁控溅射腔室、第三磁控溅射腔室和第四磁控溅射腔室分别磁控溅射镀膜的厚度为10-18nm。


4.根据权利要求1所述连续制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射本征ZnO膜层采用的靶材中掺杂0-0.2wt％的Sn。


5.根据权利要求1所述连续制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，所述磁控溅射掺杂Al的ZnO透明导电膜层采用含2-3wt％Al的ZnO靶材，腔室压力为0.249-0.443pa，通入Ar气流量为20-65sccm。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄昭雄，连重炎，李涛，任晓东，刘林，
申请(专利权)人：宣城开盛新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34