【技术实现步骤摘要】
一种异质结电池及其制备方法和组件
本专利技术涉及太阳能电池
,具体涉及一种异质结电池及其制备方法和组件。
技术介绍
从现阶段来看,影响异质结技术发展的主要问题及成因涵盖以下四个方面:1)技术稳定性并未达到大范围推广的程度,成本仍然较高;2)设备价格昂贵;3)异质结太阳能电池一般采用树脂型低温固化银浆作为金属电极,电阻率高,导电性差,为了提高导电性,需要提高金属电极的宽度或者高度,导致电池的银浆耗量增加,5BB主栅结构的异质结电池银浆耗量在300mg左右,高于市场主流的PERC电池200mg以上。即使采用最新的多主栅技术,银浆耗量仍然在150mg以上。导致异质结电池成本偏高,几乎占到了电池非硅生产成本的一半以上;4)透明导电薄膜ITO的In属于稀有金属,地壳含量稀少,因此导致溅射ITO所用的靶材价格昂贵。5)组件成本偏高。由于异质结电池的生长温度在200度以下,因此制备组件时不能采用常规的焊带和串焊机,需要使用低温焊带和低温串焊机,价格偏高,进一步增加了异质结电池的生产成本。其中3)低温银浆的成本几乎占到了电池非 ...
【技术保护点】
1.一种异质结电池,其特征在于,衬底的一面从内到外依次生长有第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层,衬底的另一面从内到外依次生长有第二本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层;N型掺杂非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层,P型掺杂非晶硅层上沉积第二透明导电氧化物层;第一透明导电氧化物层的一面和第二透明导电氧化物层的一面各与金属网固定;第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上均沉积有介电薄膜;其中,金属网由若干互相垂直的第一金属丝和第二金属丝组成。/n
【技术特征摘要】
1.一种异质结电池,其特征在于,衬底的一面从内到外依次生长有第一本征非晶硅层和N型掺杂非晶硅层,衬底的另一面从内到外依次生长有第二本征非晶硅层和P型掺杂非晶硅层;N型掺杂非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层,P型掺杂非晶硅层上沉积第二透明导电氧化物层;第一透明导电氧化物层的一面和第二透明导电氧化物层的一面各与金属网固定;第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层上均沉积有介电薄膜;其中,金属网由若干互相垂直的第一金属丝和第二金属丝组成。
2.如权利要求1所述的异质结电池,其特征在于,所述第一金属丝和第二金属丝的材质为铜、银、金、锡和铝中的一种或几种。
3.如权利要求1所述的异质结电池,其特征在于,所述第一金属丝的直径大于或等于第二金属丝的直径;单根第一金属丝和单根第二金属丝的尺寸范围均为0.1mm~10mm。
4.如权利要求1所述的异质结电池,其特征在于,所述第一金属丝和第二金属丝的截面形状为长方体、正方体、圆柱形和三角形中的一种。
5.如权利要求1所述的异质结电池,其特征在于,所述金属网的一面涂覆有粘结材料,第一透明导电氧化物层的一面和第二透明导电氧化物层的一面各与金属网涂覆有粘结材料的一面固定。
6.如权利要求5所述的异质结电池,其特征在于,所述粘结材料选用导电胶、高温易挥发的有机材料或者含有Ag颗粒的纳米材料中的一种或几种。
7.如权利要求6所述的异质结电池,其特征在于,所述高温易挥发的有机材料为聚乙烯及乙烯共聚物热熔胶。
8.如权利要求1所述的异质结电池,其特征在于,所述第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层选用ITO薄膜、IWO薄膜、AZO薄膜、FTO薄膜、In2O3:ZnO薄膜或者SnO2薄膜中的一种或几种。
9.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄强,崔艳峰,谷士斌,蔡涔,任明冲,周学谦,张莹,
申请(专利权)人:东方日升常州新能源有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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