摄像装置及摄像系统制造方法及图纸

本申请的一个方案的摄像装置具备：半导体基板，其具有接受来自外部的光的第1面及上述第1面的相反侧的第2面；第1晶体管，其位于上述第2面上；和光电转换部，其面向上述第2面，且接受透过上述半导体基板后的光。上述半导体基板为硅基板或硅化合物基板。上述光电转换部包含：与上述第1晶体管电连接的第1电极；第2电极；和光电转换层，其位于上述第1电极与上述第2电极之间，且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料。上述第1电极位于上述第2面与上述光电转换层之间。上述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为上述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最大值的0％～5％的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置及摄像系统
本申请涉及摄像装置及摄像系统。
技术介绍
在光传感器的领域，有对于限定了波长区域的传感检测的要求。在这样的应用中，一般通过将限制波长的光学滤波器配置在摄像部的前面来进行基于所期望的波长的摄像。例如下述的专利文献1公开了在图像传感器的上方配置有光学滤波器的摄像机模块。在专利文献1中记载的技术中，通过配置光学滤波器,能够切换执行可见区域中的成像和红外区域中的成像。如专利文献1的图10中例示的那样，对于特定的波长成分的滤波，可使用带通滤波器。但是，作为带通滤波器，一般使用干涉型的光学滤波器。因此，对光的入射角的依赖性大，不适合广角的摄影。另一方面，下述的专利文献2公开了一种光检测装置，其具有由非晶体硅形成的第1光电二极管及以多晶硅等具有结晶性的硅层的形式形成的第2光电二极管的层叠结构。第1光电二极管位于第2光电二极管的上方，检测可见光，与此相对，第2光电二极管检测透过第1光电二极管后的红外光。即，在该光检测装置中，第1光电二极管还兼具降低可见光向第2光电二极管中的入射的光学滤波器的功能。另外，下述的专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，其具备：/n半导体基板，其具有接受来自外部的光的第1面及所述第1面的相反侧的第2面；/n第1晶体管，其位于所述第2面上；和/n光电转换部，其面向所述第2面，且接受透过所述半导体基板后的光，/n所述半导体基板为硅基板或硅化合物基板，/n所述光电转换部包含：/n与所述第1晶体管电连接的第1电极；/n第2电极；和/n光电转换层，其位于所述第1电极与所述第2电极之间，且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料，/n所述第1电极位于所述第2面与所述光电转换层之间，/n所述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为所述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181119 JP 2018-2164991.一种摄像装置，其具备：
半导体基板，其具有接受来自外部的光的第1面及所述第1面的相反侧的第2面；
第1晶体管，其位于所述第2面上；和
光电转换部，其面向所述第2面，且接受透过所述半导体基板后的光，
所述半导体基板为硅基板或硅化合物基板，
所述光电转换部包含：
与所述第1晶体管电连接的第1电极；
第2电极；和
光电转换层，其位于所述第1电极与所述第2电极之间，且包含吸收1.1μm以上的第1波长的光的材料，
所述第1电极位于所述第2面与所述光电转换层之间，
所述材料的1.0μm以上且低于1.1μm的波长区域中的光谱灵敏度为所述材料的1.1μm以上的波长区域中的光谱灵敏度的最大值的0％～5％的范围内。


2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述材料具有量子纳米结构。


3.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述材料为碳纳米管。


4.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述材料为包含选自III族元素、IV族元素、V族元素及VI族元素中的至少1种的纳米粒子。


5.根据权利要求2～4中任一项所述的摄像装置，其中，
所述材料将低于1.1μm的第2波长的光吸收，
所述半导体基板将所述第2波长的光吸收。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的摄像装置，其中，所述半导体基板的厚度为30μm～800μm。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的摄像装置，其进一步具备面向所述第1面的微透镜。


8.根据权利要求7所述的摄像装置，
其进一步具备导电结构，所述导电结构位于所述光电转换部与所述半导体基板之间，且将所述第1电极与所述第1晶体管电连接，
所述第1电极与所述导电结构的连接部从所述第1面的法线方向观察位于比所述微透镜的外缘更靠外侧。


9.根据权利要求1～8中任一项所述的摄像装置，其进一步具备绝缘层，所述绝缘层位...

【专利技术属性】
技术研发人员：德原健富，宍戸三四郎，三宅康夫，町田真一，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP