【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体的，具体涉及一种半导体器件及半导体器件的预切割晶圆结构。
技术介绍
1、为了大幅度节约成本和提高制作效率，在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片，然后再分割成各个器件单元，最后再进行封装和焊接。晶圆切割技术对提高成品率和封装效率有着重要影响。其中，激光切割技术由于加工速度快、切割槽窄、非接触和高自动化程度等优点逐渐取代了传统切割方法，得到应用。在镭射切割过程中会产生热应力，被分割后的芯片边缘存在一些烧融物，因而切割后需使用化学蚀刻的方法把烧融物蚀刻掉然后进行清洗，消除热应力，恢复芯片的机械强度。
2、参考图1，现有技术是沿晶圆上的切割道进行切割，切割道通常与晶圆表面的钝化层平齐，切割沿外延层的纵向进行，切割后半导体器件芯片外延层的侧面附着有烧融物，随后通过湿法蚀刻工艺进行去除。由于外延层蚀刻率不均匀问题，蚀刻后将导致芯片的侧面及边缘表面凹凸不平，宏观上呈现出异色，影响了产品的外观及使用性能。
技术实现思路
1、本技术针对现有技术存在的不足，提供一种半导体器件...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于：包括衬底以及设于衬底上的外延层；所述衬底具有凸出于所述外延层边缘的切割道附加部，所述切割道附加部的厚度小于所述衬底的厚度以形成一台阶面；所述器件表面设有钝化层，钝化层覆盖外延层的侧壁并延伸至覆盖所述台阶面的部分表面。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述衬底的台阶面的高度落差为1~5 μm。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述钝化层覆盖所述台阶面的长度为2~5 μm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述钝化层的厚度为0.1~0.6 μm。
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