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本技术公开了一种半导体器件，包括衬底以及设于衬底上的外延层，衬底具有凸出于外延层边缘的切割道附加部，切割道附加部的厚度小于衬底的厚度以形成一台阶面，钝化层覆盖外延层的侧壁并延伸至覆盖台阶面的部分表面。本技术还公开了半导体器件的预切割晶圆结构...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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