一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构，包括嵌埋在绝缘层内的器件和封闭所述器件的屏蔽腔，其中所述屏蔽腔由嵌入在所述绝缘层中四面围绕所述器件的屏蔽墙以及覆盖在所述屏蔽墙的第一端面和第二端面上的第一线路层和第二线路层构成，所述第一线路层和第二线路层与所述屏蔽墙电连接；其中在所述屏蔽墙的第一端面与所述第一线路层之间形成有引线开口，连接所述器件的端子的信号线从所述引线开口引出所述屏蔽腔。还公开了一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构及其制造方法
本专利技术涉及电子器件封装结构，具体涉及具有屏蔽腔的嵌入式封装结构及其制造方法。
技术介绍
电磁干扰主要由干扰源、传输路径和敏感设备组成，其中干扰源包括微处理器、微控制器、传送器、静电放电和瞬时功率执行元件，如机电式继电器、开关电源、雷电等。在微控制器系统中，时钟电路是最大的宽带噪声发生器，而这个噪声被扩散到整个频谱，随着大量的高速半导体器件的发展，其边沿跳变速率很快，这种电路将产生高达300MHz的谐波干扰。电磁干扰对电子系统和电子设备的危害在于：强烈的电磁干扰可能使灵敏电子设备因过载而损坏，一般硅晶体管发射极与基极间的反向击穿电压为2～5V，很易损坏，而且其反向击穿电压随温度升高而下降，电磁干扰引起的尖峰电压能使发射结和集电结中某点杂质浓度增加，导致晶体管击穿或内部短路，在强射频电磁场下工作的晶体管会吸收足够的能量，使结温超过允许温升而导致损坏；增加了发、输、供和用电设备的附加损耗，使设备过热，降低设备的效率和利用率，由于谐波电流的频率为基波频率的整数倍，高频电流流过导体时，因集肤效应的作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构，包括嵌埋在绝缘层内的器件和封闭所述器件的屏蔽腔，其中所述屏蔽腔由嵌入在所述绝缘层中四面围绕所述器件的屏蔽墙以及覆盖在所述屏蔽墙的第一端面和第二端面上的第一线路层和第二线路层构成，所述第一线路层和第二线路层与所述屏蔽墙电连接；其中在所述屏蔽墙的第一端面与所述第一线路层之间形成有引线开口，连接所述器件的端子的信号线从所述引线开口引出所述屏蔽腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构，包括嵌埋在绝缘层内的器件和封闭所述器件的屏蔽腔，其中所述屏蔽腔由嵌入在所述绝缘层中四面围绕所述器件的屏蔽墙以及覆盖在所述屏蔽墙的第一端面和第二端面上的第一线路层和第二线路层构成，所述第一线路层和第二线路层与所述屏蔽墙电连接；其中在所述屏蔽墙的第一端面与所述第一线路层之间形成有引线开口，连接所述器件的端子的信号线从所述引线开口引出所述屏蔽腔。


2.根据权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中所述屏蔽墙由铜柱形成。


3.根据权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中在所述信号线两侧具有平行的接地屏蔽线。


4.根据权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中所述绝缘层包括封装材料。


5.根据权利要求4所述的嵌入式封装结构，其中所述封装材料选自半固化片、双马来酰亚胺/三嗪树脂、聚酰亚胺、聚氯乙烯、膜状有机树脂、环氧树脂或聚苯醚中的一种或多种的组合。


6.根据权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中所述器件选自裸芯片、无源器件和封装体中的任意一种或多种的组合。


7.根据权利要求1所述的嵌入式封装结构，其中所述屏蔽腔接地。


8.一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构的制造方法，包括如下步骤：
(A)制作具有贯通空腔的框架，其中所述框架包括聚合物电介质和嵌入在所述聚合物电介质中包围所述贯通空腔的屏蔽铜柱；
(B)在所述贯通空腔中置入器件并填充封装材料形成第一绝缘层；
(C)在所述第一绝缘层的第一表面上施加聚合物电介质形成第二绝缘层；
(D)在所述第二绝缘层上开孔暴露出所述屏蔽铜柱的第一端面和所述器件的端子，同时保留预定的信号线引出开口位置的聚合物电介质；
(E)在所述第二绝缘层上形成连接所述器件的端子的信号线，其中所述信号线穿过所述信号线引出开口位置；
(F)将所述屏蔽铜柱从第一端面增层使其延伸超出第二绝缘层；
(G)在所述屏蔽铜柱上施加聚合物电介质形成第三绝缘层；
(H)减薄第一绝缘层和第三绝缘层暴露出所述屏蔽铜柱的第一端面和第二端面；
(I)在所述第三绝缘层和第一绝缘层上形成第一线路层和第二线路层，其中第一线路层和第二线路层覆盖在所述屏蔽铜柱的第一端面和第二端面上并与所述屏蔽铜柱电连接。


9.根据权利要求8所述的制造方法，其中步骤A还包括：
-在临时承载板上施加光刻胶层，经曝光显影形成第一图案；
-在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，顾敏，冯磊，姜丽娜，黄本霞，王闻师，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44