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本发明公开了一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构,包括嵌埋在绝缘层内的器件和封闭所述器件的屏蔽腔,其中所述屏蔽腔由嵌入在所述绝缘层中四面围绕所述器件的屏蔽墙以及覆盖在所述屏蔽墙的第一端面和第二端面上的第一线路层和第二线路层构成,所述第一线路层和第...该专利属于珠海越亚半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过珠海越亚半导体股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种具有屏蔽腔的嵌入式封装结构,包括嵌埋在绝缘层内的器件和封闭所述器件的屏蔽腔,其中所述屏蔽腔由嵌入在所述绝缘层中四面围绕所述器件的屏蔽墙以及覆盖在所述屏蔽墙的第一端面和第二端面上的第一线路层和第二线路层构成,所述第一线路层和第...