一种高质量低电阻率的半导体材料及其生长方法技术

本申请公开了一种高质量低电阻率的半导体材料生长方法，包括：在衬底的上表面生长液态金属层；在所述液态金属层的上表面生长缓冲层；在所述缓冲层的上表面生长半导体层。可见，本申请中的半导体材料生长方法在衬底的上表面生长的金属层液态金属层，并在液态金属层上表面生长缓冲层以及在缓冲层的上表面生长半导体层，得到半导体材料，使得半导体材料的缺陷密度降低，表面平整度提升，受主激活能降低，导电性能好。此外，本申请还提供一种具有上述优点的半导体材料。

【技术实现步骤摘要】
一种高质量低电阻率的半导体材料及其生长方法
本申请涉及半导体材料
，特别是涉及一种高质量低电阻率的半导体材料及其生长方法。
技术介绍
半导体材料具有半导体性能，广泛应用于光探测器、传感器、太阳能电池、半导体发光二极管、激光器等器件中，半导体材料的结晶质量和电学参数影响器件的性能。分子束外延技术是半导体工艺中一种常用高真空制备技术，为了获得高质量、电学性能良好的半导体材料，相关技术人员做了大量研究。以生长ZnO半导体材料薄膜为例，通过调整氧气流量、衬底温度、Zn源温度等生长条件来研究对ZnO半导体材料薄膜的质量以及电学参数的影响，以希望获得高质量、低缺陷密度的半导体材料。但是半导体材料的结晶质量和电学性能还没有达到最理想化的要求。因此，如何获得高质量、低缺陷密度的半导体材料应是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种高质量低电阻率的半导体材料及其生长方法，以获得高质量、低缺陷密度且导电性能好的半导体材料。为解决上述技术问题，本申请提供一种半导体材料生长方法，包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高质量低电阻率的半导体材料生长方法，其特征在于，包括：/n在衬底的上表面生长液态金属层；/n在所述液态金属层的上表面生长缓冲层；/n在所述缓冲层的上表面生长半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种高质量低电阻率的半导体材料生长方法，其特征在于，包括：
在衬底的上表面生长液态金属层；
在所述液态金属层的上表面生长缓冲层；
在所述缓冲层的上表面生长半导体层。


2.如权利要求1所述的高质量低电阻率的半导体材料生长方法，其特征在于，所述在衬底的上表面生长液态金属层之前，还包括：
使用三氯乙烯、丙酮、乙醇分别清洗所述衬底；
使用氮气吹干清洗后的所述衬底。


3.如权利要求1或2所述的高质量低电阻率的半导体材料生长方法，其特征在于，所述在衬底的上表面生长液态金属层包括：
控制镓源的温度在1000℃～1200℃之间，利用等离子体辅助外延方法在所述衬底的上表面生长液态镓层；
或者，控制锌源的温度在200℃～250℃之间，利用等离子体辅助外延方法在所述衬底的上表面生长液态锌层。


4.如权利要求3所述的高质量低电阻率的半导体材料生长方法，其特征在于，所述在所述液态金属层的上表面生长缓冲层包括：
控制镓源的温度在1000℃～1200℃之间，氮气的流量在4×10-7Torr～5.2×10-7Torr之间，利用利用等离子体辅助外延方法在所述液态镓层的上表面生长氮化镓缓冲层；
或者，控制锌源的温度在200℃～250℃之间，氧气的流量在0.5sccm～1.5sccm之间，利用利用等离子体辅助外延方法在所述液态锌层的上表面生长氧化锌缓冲层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：艾秋，刘可为，申德振，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22