MIM电容的制作方法技术

本申请公开了一种MIM电容的制作方法，包括：通过光刻工艺在MIM电容薄膜上除目标区域的其它区域覆盖光阻，MIM电容薄膜从下至上依次包括第一电极层、电介质层和第二电极层；刻蚀至目标区域的电介质层的目标深度，去除目标区域的第二电极层；对刻蚀过程中产生的反应副产物进行第一次清除处理，第一次清除处理的反应气体包括氯气；对反应副产物进行第二次清除处理，第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气；去除光阻。本申请通过两次清除处理去除刻蚀过程中的反应副产物，第一次清除处理的反应气体包括氯气以清除反应副产物中的金属氯化物，第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气以去除氯碳化合物，从而能够较为彻底地清除反应副产物。

【技术实现步骤摘要】
MIM电容的制作方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种金属-介质层-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容的制作方法。
技术介绍
电容元件常应用于如射频、单片微波等集成电路中作为电子无源器件。常见的电容元件包括金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)电容、PN结(positivenegativejunction)电容以及MIM电容等。其中，MIM电容在某些特殊应用中能够提供优于MOS电容以及PN结电容的电学特性，这是由于MOS电容以及PN结电容均受限于其本身结构，在工作时电极容易产生空穴层，导致其频率特性降低，而MIM电容可以提供较好的频率以及温度相关特性。此外，在半导体制造中，MIM电容可形成于层间金属以及金属互连制程中，也降低了与集成电路制造的前端工艺整合的困难度及复杂度。在MIM电容的制造过程中，在对MIM电容薄膜进行刻蚀时，会产生反应副产物(polymer)。鉴于此，相关技术中，在进行刻蚀后，会通过包含四氟化碳(CF4)的反应气体对反应副产物中的金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括：/n通过光刻工艺在MIM电容薄膜上除目标区域的其它区域覆盖光阻，所述MIM电容薄膜从下至上依次包括第一电极层、电介质层和第二电极层；/n刻蚀至所述目标区域的电介质层的目标深度，去除所述目标区域的第二电极层；/n对刻蚀过程中产生的反应副产物进行第一次清除处理，所述第一次清除处理的反应气体包括氯气；/n对所述反应副产物进行第二次清除处理，所述第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气；/n去除所述光阻。/n

【技术特征摘要】
1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括：
通过光刻工艺在MIM电容薄膜上除目标区域的其它区域覆盖光阻，所述MIM电容薄膜从下至上依次包括第一电极层、电介质层和第二电极层；
刻蚀至所述目标区域的电介质层的目标深度，去除所述目标区域的第二电极层；
对刻蚀过程中产生的反应副产物进行第一次清除处理，所述第一次清除处理的反应气体包括氯气；
对所述反应副产物进行第二次清除处理，所述第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气；
去除所述光阻。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括氮化硅层。


3.根据权利要求1或2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马莉娜，姚道州，肖培，戴鸿冉，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32