去除焊盘缺陷的方法技术

本申请公开了一种去除焊盘缺陷的方法，涉及半导体制造领域。该去除焊盘缺陷的方法包括在半导体衬底上形成焊盘；对所述半导体衬底进行湿法清洗；利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜；对所述半导体衬底进行退火处理；对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述焊盘表面的氧化膜和焊盘顶部富含氟离子的金属；利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜；解决了目前焊盘表面容易出现结晶缺陷，引起键合失效的问题；达到了改善封装可靠性的效果。

【技术实现步骤摘要】
去除焊盘缺陷的方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种去除焊盘缺陷的方法。
技术介绍
目前，随着芯片集成度的增加以及尺寸的减小，半导体器件封装的精度要求越来越高。焊盘作为半导体器件中用于与其他半导体器件形成连接的组件，要求具有良好的导电性和高可靠性。焊盘结晶缺陷(padcrystaldefect)是一种常见的缺陷，会造成半导体制造工艺中键合失效的问题。业界内解决焊盘结晶缺陷问题主要采用EKC药液进行清洗，但EKC药液的使用成本较高。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种去除焊盘缺陷的方法。该技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种去除焊盘缺陷的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成焊盘；对所述半导体衬底进行湿法清洗；利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜；对所述半导体衬底进行退火处理；对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述焊盘表面的氧化膜和焊盘顶部富含氟离子的金属；利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去除焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：/n在半导体衬底上形成焊盘；/n对所述半导体衬底进行湿法清洗；/n利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜；/n对所述半导体衬底进行退火处理；/n对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述焊盘表面的氧化膜和焊盘顶部富含氟离子的金属；/n利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种去除焊盘缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
在半导体衬底上形成焊盘；
对所述半导体衬底进行湿法清洗；
利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜；
对所述半导体衬底进行退火处理；
对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述焊盘表面的氧化膜和焊盘顶部富含氟离子的金属；
利用氧气处理所述半导体衬底，在所述焊盘表面形成一层氧化膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行退火处理的温度范围为410℃-450℃。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，等离子体处理采用的离子源为Ar离子。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述焊盘表面的氧化膜和焊盘顶部富含氟离子的金属，包括：
对所述半导体衬底进行等离子体处理，处理时间为30秒，去除所述焊盘表面的氧化膜和焊盘顶部富含氟离子的金属。


5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：米魁，陈广龙，王函，程刘锁，李伟，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32