【技术实现步骤摘要】
一种AL2O3薄片制备方法
本专利技术涉及半导体加工
，特别涉及一种AL2O3薄片制备方法。
技术介绍
Al2O3薄片作为一种性能优良且具有特殊二维片状结构、适中的表面活性、良好的吸附力及显著的屏蔽效应而得到大量研发，在填充剂、增韧剂、耐火材料、化妆品、珠光颜料等领域都有着广泛的应用前景。现有技术当中，Al2O3薄片的制备方法有很多种，通常采用的有熔盐法、液相间接法、水热法，涂膜法，机械法以及高温烧结等方法。以上这些方法都属于粉体液相合成，所制备的Al2O3薄片的直径为几个微米，厚度在0.2-06微米，但是其薄片的几何形状和厚度不可控，厚度也不在纳米尺度，从而限制了相关技术的研究和发展。
技术实现思路
基于此，本专利技术的目的是提供一种AL2O3薄片制备方法，以解决现有AL2O3薄片制备工艺所制备的Al2O3薄片的几何形状和径厚比不可控的技术问题。本专利技术实施例提供一种AL2O3薄片制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底的上表面外延交替生长AlX...
【技术保护点】
1.一种AL
【技术特征摘要】
1.一种AL2O3薄片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底的上表面外延交替生长AlXGa1-XAs薄层和GaAs薄层，以在所述衬底的上表面形成外延层；
通过光刻掩膜板对所述外延层进行刻蚀，形成多个独立的子外延层；
对每一所述子外延层的AlXGa1-XAs薄层进行氧化，以将所述AlXGa1-XAs薄层转化成为AL2O3薄层；
对每一所述子外延层的GaAs薄层进行蚀除，得到AL2O3薄片。
2.根据权利要求1所述的AL2O3薄片制备方法，其特征在于，所述通过光刻掩膜板对所述外延层进行刻蚀，形成多个独立的子外延层的步骤包括：
在所述外延层的上表面旋涂光刻胶；
透过所述光刻掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，以将所述光刻掩膜板上的图形转移到所述光刻胶表面；
以所述光刻胶为掩膜对所述外延层进行刻蚀，形成多个独立的子外延层。
3.根据权利要求2所述的AL2O3薄片制备方法，其特征在于，以所述光刻胶为掩膜对所述外延层进行刻蚀的步骤包括：
采用感应耦合等离子干法刻蚀工艺，并以所述光刻胶为掩膜对所述外延层进行刻蚀。
4.根据权利要求3所述的AL2O3薄片制备方法，其特征在于，所述感应耦合等离子干法刻蚀工艺的工艺参数为：SiCL4/N2＝17sccm/16sccm。
5.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：高阳，李春勇，舒凯，仇伯仓，柯毛龙，徐化勇，冯欧，
申请(专利权)人：江西铭德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36
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