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本申请公开了一种去除焊盘缺陷的方法,涉及半导体制造领域。该去除焊盘缺陷的方法包括在半导体衬底上形成焊盘;对所述半导体衬底进行湿法清洗;利用氧气处理所述半导体衬底,在所述焊盘表面形成一层氧化膜;对所述半导体衬底进行退火处理;对所述半导体衬底进...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种去除焊盘缺陷的方法,涉及半导体制造领域。该去除焊盘缺陷的方法包括在半导体衬底上形成焊盘;对所述半导体衬底进行湿法清洗;利用氧气处理所述半导体衬底,在所述焊盘表面形成一层氧化膜;对所述半导体衬底进行退火处理;对所述半导体衬底进...