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本申请公开了一种MIM电容的制作方法，包括：通过光刻工艺在MIM电容薄膜上除目标区域的其它区域覆盖光阻，MIM电容薄膜从下至上依次包括第一电极层、电介质层和第二电极层；刻蚀至目标区域的电介质层的目标深度，去除目标区域的第二电极层；对刻蚀过程...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。