一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管技术

本发明专利技术公开了一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管，其中所述方法包括：⑴提供异质生长衬底；⑵在所述异质生长衬底的上表面上依次生长第一成核层和III极性III族氮化物层；⑶除去所述异质生长衬底、所述第一成核层，并暴露出所述III极性III族氮化物的氮极性面得到氮极性衬底；⑷在所述氮极性衬底的上表面上，生长氮极性III族氮化物层结构，所述氮极性III族氮化物层结构包括二维电子气。

【技术实现步骤摘要】
一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种III族氮化物层结构及其制备方法、晶体管。
技术介绍
毫米波及太赫兹波在5G/6G通讯，自动驾驶测距和安检成像等方面有着广泛的应用。但是由于频率高，及空气对信号的吸收增加，所以必须提高信号强度，要求RF(即射频)微波功放管可以处理较高的功率密度。这为宽禁带半导体GaN及其晶体管提供了新的机遇。III族氮化物是极性材料，如GaN，AlN，AlGaN和InAlN等，即它们有自发极化，自发极化与它们的C方向平行。所以，一个与C方向相互垂直的薄晶片，其上下两个表面不相同。习惯上，当一个C切晶片或薄膜的上表面的法线方向与自发极化方向相反(反向平行)时，该晶片或薄膜称作III极性的(如果是GaN或AlN，则被分别称为Ga极性或Al极性)。反之，当法线方向与自发极化方向一致时，该晶片或薄膜称作氮极性的。III族氮化物是通常通过外延生长的，所以区分上表面的极性很重要。但现在为止，已经对氮极性III族氮化物进行了广泛的研究。在镓极性的表面上，二维电子气(2DE本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种III族氮化物层结构的制备方法，其特征在于，包括：/n⑴提供异质生长衬底；/n⑵在所述异质生长衬底的上表面上依次生长第一成核层和III极性III族氮化物层；/n⑶除去所述异质生长衬底、所述第一成核层，并暴露出所述III极性III族氮化物的氮极性面得到氮极性衬底；/n⑷在所述氮极性衬底的上表面上，生长氮极性III族氮化物层结构，所述氮极性III族氮化物层结构包括二维电子气。/n

【技术特征摘要】
1.一种III族氮化物层结构的制备方法，其特征在于，包括：
⑴提供异质生长衬底；
⑵在所述异质生长衬底的上表面上依次生长第一成核层和III极性III族氮化物层；
⑶除去所述异质生长衬底、所述第一成核层，并暴露出所述III极性III族氮化物的氮极性面得到氮极性衬底；
⑷在所述氮极性衬底的上表面上，生长氮极性III族氮化物层结构，所述氮极性III族氮化物层结构包括二维电子气。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述异质生长衬底包括蓝宝石或SiC晶体中的一种。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮极性衬底的上表面与所述异质生长衬底的上表面的物理间距在5纳米到15微米之间。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氮极性衬底的上表面与所述异质生长衬底的上表面的物理间距在200纳米到5微米之间。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮极性衬底的上表面包括AlN层。


6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜全忠，
申请(专利权)人：深圳市奥谱太赫兹技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44