一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法技术

为了解决现有技术中碳化硅刻蚀效率低的问题，本发明专利技术提供了一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法，包括以下步骤：S100：清洗碳化硅晶片；S200：通过皮秒激光照射碳化硅待刻蚀区域；S300：采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀，形成刻蚀沟槽；S400：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层；S500：去除刻蚀沟槽侧壁和沟槽底部的刻蚀损伤层。本发明专利技术在具体使用中，将碳化硅清洗后通过皮秒激光束照射碳化硅待刻蚀区域的表面，持续一定时间后，破坏该区域深度范围内碳化硅材料的碳硅键，提高该区域碳化硅的干法刻蚀速度，刻蚀效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法
本专利技术涉及半导体
，涉及一种碳化硅结构，尤其涉及一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法。
技术介绍
碳化硅（SiC）具有出色的物理和化学性质，由于其优良的材料性能，以碳化硅材料（SiC）为基础的半导体器件正得到广泛的关注和应用。但是极高的材料强度,也带来工艺方面的挑战，由于碳化硅材料的碳硅键键能（C-Si）强，化学性质极其稳定，因此难以应用半导体工业中传统的刻蚀工艺。例如,若采用传统的湿法刻蚀，其需要在500摄氏度左右高温的碱溶液中进行；若采用传统的干法刻蚀，不仅刻蚀速度非常慢，同时需要很厚的干法刻蚀掩模，影响相关的光刻和掩模干刻工艺，并且长时间的干法刻蚀，会使得晶圆表面，以及刻蚀设备腔室内壁积累大量的难以去除的副产物，影响质量和效率。因此现有技术中对碳化硅的腐蚀存在效率低的问题。为了提高刻蚀效率，中国专利文献CN103441063A公开了一种碳化硅微结构的制备方法，该制备方法是通过在气体环境中，利用飞秒激光辐照，通过扫描的方式，在碳化硅基片上诱导产生碳化硅基折射率变化结构，再通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS100：清洗碳化硅晶片，留存待用；/nS200：将碳化硅晶片固定在工装上，通过皮秒激光照射碳化硅待刻蚀区域；/nS300：使用介质膜作为干法刻蚀阻挡层，采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀，形成刻蚀沟槽；/nS400：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层；/nS500：去除刻蚀沟槽侧壁和沟槽底部的刻蚀损伤层。/n

【技术特征摘要】
1.一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S100：清洗碳化硅晶片，留存待用；
S200：将碳化硅晶片固定在工装上，通过皮秒激光照射碳化硅待刻蚀区域；
S300：使用介质膜作为干法刻蚀阻挡层，采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀，形成刻蚀沟槽；
S400：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘敏，何钧，何志，
申请(专利权)人：重庆伟特森电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50