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为了解决现有技术中碳化硅刻蚀效率低的问题，本发明提供了一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法，包括以下步骤：S100：清洗碳化硅晶片；S200：通过皮秒激光照射碳化硅待刻蚀区域；S300：采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀，形成刻蚀沟槽...
该专利属于重庆伟特森电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆伟特森电子科技有限公司授权不得商用。

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