【技术实现步骤摘要】
晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种晶圆背面粗糙化的方法以及功率器件制造方法。
技术介绍
大多数半导体功率器件需要在大电流、大电压条件下工作，所承受的电压通常从几十到几千伏，若采用平面结构则所占的芯片面积较大，导通电阻、寄生电感和寄生电容大，因而，现在业界多采用纵向结构，源极和栅极布置在芯片正面，漏极布置在芯片背面，在降低导通电阻和寄生感应的同时，可以减小芯片面积，降低生产成本。在半导体功率器件生产工艺中，需要在背面金属溅射前对晶圆背面进行粗糙化处理，以增大接触面积。目前常用的配方是用刻蚀液(H2SO4、HNO3和HF的混合液)，对硅表面进行刻蚀，其处理的界面可以获得很好的粗糙度。但是，采用目前的方法，金属粘附性不好，易造成脱落。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法，以解决金属粘附性不好的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆背面粗糙化控制方法，所述方法包括如下步骤：对晶圆背...
【技术保护点】
1.一种晶圆背面粗糙化控制方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：/n对晶圆背面进行第一刻蚀工艺，以减少所述晶圆背面的裂痕；/n对所述晶圆背面进行第二刻蚀工艺，以使所述晶圆背面具有粗糙度；以及/n对所述晶圆背面进行第三刻蚀工艺，以减少所述晶圆背面的尖峰。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面粗糙化控制方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
对晶圆背面进行第一刻蚀工艺，以减少所述晶圆背面的裂痕；
对所述晶圆背面进行第二刻蚀工艺，以使所述晶圆背面具有粗糙度；以及
对所述晶圆背面进行第三刻蚀工艺，以减少所述晶圆背面的尖峰。
2.如权利要求1所述的晶圆背面粗糙化控制方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺中，刻蚀液是HNO3和HF混合溶液。
3.如权利要求2所述的晶圆背面粗糙化控制方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺中，HNO3和HF的体积比为5:1～200:1。
4.如权利要求2所述的晶圆背面粗糙化控制方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺中，刻蚀液的温度为20℃～65℃。
5.如权利要求2所述的晶圆背面粗糙化控制方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺中，刻蚀时间小于120秒。
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【专利技术属性】
技术研发人员：龙思阳，陈忠奎，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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