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本发明提供了一种晶圆背面粗糙化控制方法以及功率器件制造方法，所述晶圆背面粗糙化控制方法包括：先对晶圆背面进行第一刻蚀工艺以减少晶圆背面的裂痕，再对晶圆背面进行第二刻蚀工艺以使晶圆背面可以具有粗糙度，接着对晶圆背面进行第三刻蚀工艺以减少或消除...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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