层结构III族氮化物竖直场效应晶体管，包括：基板；覆盖所述基板具有窗口,且用于部分暴露所述基板的掩膜层；在所述基板上从所述掩膜层的窗口外延生长出来的漏区；外延生长在所述漏区顶表面上的绝缘层；外延生长在所述绝缘层顶面上的源区；和外延生长在...

本发明公开了一种使用气相传输的材料生长装置，包括真空室和生长室，生长室置于真空室中，生长室包括出气道和至少两个内表面，两个内表面分别用于搁置所需的生长源料和衬底；生长源料至少包括上表面和和下表面，生长源料的上表面与衬底相对、而下表面则与...

本发明公开了一种光泵浦发光器件，包括透明的用于氮化物生长的衬底、黄绿红量子阱结构、以及位于所述黄绿红量子阱结构上方的覆盖层，其特征在于：所述衬底一侧置有多个包括但不限于氮化物的单元体，所述单元体具有倾斜侧面，所述黄绿红量子阱结构位于所述...