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本申请公开了一种高质量低电阻率的半导体材料生长方法，包括：在衬底的上表面生长液态金属层；在所述液态金属层的上表面生长缓冲层；在所述缓冲层的上表面生长半导体层。可见，本申请中的半导体材料生长方法在衬底的上表面生长的金属层液态金属层，并在液态金...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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