【技术实现步骤摘要】
图形化掩膜层及其形成方法、存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种图形化掩膜层及其形成方法以及一种存储器及其形成方法。
技术介绍
存储器包括多个阵列排列的存储单元，每个存储单元均形成于一有源区(AA)上。现有技术的存储器的形成过程中，通常需要对衬底进行刻蚀，以形成阵列排列的有源区。随着存储器存储容量增大，存储密度增大，有源区的线宽逐渐缩小。在衬底表面形成多个阵列排列的掩膜图形作为有源区的掩膜时，位于阵列边缘区域上的部分掩膜图形可能会不完整，以此为掩膜刻蚀衬底形成的有源区容易发生倒塌。为了避免上述问题，通常需要在形成掩膜图形后，将边缘区域的不完整掩膜图形去除。请参考图1，有源区掩膜图形的局部示意图。在去除边缘的掩膜图形101时，通过一曲线102分割边缘区域和中间区域。由于相邻掩膜图形101之间的间距较小，使得所述曲线102的弧形弧度α较小。由于在光刻过程中，较小尺寸图形均容易产生较大的光学邻近效应(OPE)，在制作光罩的过程中，需要对光刻图形进行光学邻近效应校正(OPC)。而该曲线102的弧度较小...
【技术保护点】
1.一种图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：/n形成掩膜材料层；/n对所述掩膜材料层进行图形化，形成具有若干阵列分布的子掩膜图形的子掩膜层；/n去除位于所述子掩膜层边缘区域内的子掩膜图形；/n在剩余的各个所述子掩膜图形侧壁表面形成侧墙，以形成所述图形化掩膜层。/n
【技术特征摘要】
1.一种图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，包括：
形成掩膜材料层；
对所述掩膜材料层进行图形化，形成具有若干阵列分布的子掩膜图形的子掩膜层；
去除位于所述子掩膜层边缘区域内的子掩膜图形；
在剩余的各个所述子掩膜图形侧壁表面形成侧墙，以形成所述图形化掩膜层。
2.根据权利要求1所述的图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，所述子掩膜图形平行排列。
3.根据权利要求1所述的图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，所述边缘区域的轮廓至少包括部分曲线。
4.根据权利要求1所述的图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，采用边缘刻蚀光罩定义所述子掩膜层的边缘区域；所述边缘刻蚀光罩包括保留区域和围绕所述保留区域的刻蚀区域，所述刻蚀区域对应于所述子掩膜层的边缘区域，所述刻蚀区域和保留区域之间的边界线至少包括部分曲线。
5.根据权利要求1所述的图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，去除边缘区域内的子掩膜图形后，剩余的子掩膜图形的形状、尺寸均相同。
6.根据权利要求1所述的图形化掩膜层的形成方法，其特征在于，所述子掩膜层形成方法包括：刻蚀所述掩膜材料层，形成若干沿第一方向平行排列的长条状图形；刻蚀所述长条状图形，将所述长条状图形分割为若干子掩膜图形。
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【专利技术属性】
技术研发人员：周震，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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