用于形成图案的方法技术

公开了一种用于形成图案的方法，该方法能够通过以下步骤来改善线宽粗糙度(LWR)：在刻蚀目标层上形成第一抗蚀剂材料；在第一抗蚀剂材料上形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料；使用第二抗蚀剂材料的遮光部分作为曝光掩模来曝光第一抗蚀剂材料；去除第二抗蚀剂材料；通过使曝光的第一抗蚀剂材料显影来形成第一抗蚀剂图案；以及使用第一抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀刻蚀目标层。

【技术实现步骤摘要】
用于形成图案的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月10日提交的申请号为10-2019-0067796的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
示例性实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，更具体地，涉及一种用于在半导体器件上形成图案的方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，出于实现半导体器件的更高集成度和小型化的目的，需要使图案小型化。光刻法是一种用于通过将掩模上的几何形状和图案转移到目标层来制造图案的方法。
技术实现思路
本公开的示例性实施例针对一种用于形成图案的方法，该方法能够改善图案的线宽粗糙度(LWR)。根据一个实施例，一种用于形成图案的方法包括：在刻蚀目标层上形成第一抗蚀剂材料；在所述第一抗蚀剂材料上形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料；使用第二抗蚀剂材料的遮光部分作为曝光掩模来曝光第一抗蚀剂材料；去除第二抗蚀剂材料；通过使曝光的第一抗蚀剂材料显影来形成第一抗蚀剂图案；以及使用第一抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来对刻蚀目标层进行刻蚀。<br>根据一个实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成图案的方法，包括：/n在刻蚀目标层上形成第一抗蚀剂材料；/n在所述第一抗蚀剂材料上形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料；/n使用所述第二抗蚀剂材料的所述遮光部分作为曝光掩模来曝光所述第一抗蚀剂材料；/n去除所述第二抗蚀剂材料；/n通过使曝光的第一抗蚀剂材料显影来形成第一抗蚀剂图案；和/n使用所述第一抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述刻蚀目标层。/n

【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00677961.一种用于形成图案的方法，包括：
在刻蚀目标层上形成第一抗蚀剂材料；
在所述第一抗蚀剂材料上形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料；
使用所述第二抗蚀剂材料的所述遮光部分作为曝光掩模来曝光所述第一抗蚀剂材料；
去除所述第二抗蚀剂材料；
通过使曝光的第一抗蚀剂材料显影来形成第一抗蚀剂图案；和
使用所述第一抗蚀剂图案作为刻蚀阻挡层来刻蚀所述刻蚀目标层。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料的步骤包括：
在所述第一抗蚀剂材料上形成透光抗蚀剂材料；和
将所述透光抗蚀剂材料的一部分转变成遮光抗蚀剂。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述透光抗蚀剂材料的一部分转换为遮光抗蚀剂的步骤包括将遮光材料引入到所述透光抗蚀剂材料的一部分中。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述遮光材料包括金属。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料的步骤包括：
在所述第一抗蚀剂材料上形成包括第一聚合物成分和第二聚合物成分的自组装的透光聚合物；和
提供含有遮光材料的前体，以选择性地将所述第一聚合物成分转化为遮光聚合物，
其中，含有遮光材料的所述前体不与所述第二聚合物成分反应。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，包含所述遮光材料的所述前体包括金属。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成包括遮光部分和透光部分的第二抗蚀剂材料的步骤包括：
在所述第一抗蚀剂材料上形成嵌段共聚物；
使所述嵌段共聚物退火以形成自组装的嵌段共聚物，所述自组装的嵌段共聚物包含第一聚合物成分和第二聚合物成分；和
通过将所述第一聚合物成分暴露于含金属的前体而将所述自组的装嵌段共聚物的所述第一聚合物成分转化为遮光聚合物，
其中，所述含金属的前体不与所述第二聚合物成分反应。


8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一聚合物成分包括聚甲基丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根俊，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR