基于双胶层结构的脊型波导DFB激光器的制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种基于双胶层结构的脊型波导DFB激光器的制备工艺，其中脊型区域电流通道开窗口包括步骤：通过等离子增强化学气相沉积方式沉积一层SiO

【技术实现步骤摘要】
基于双胶层结构的脊型波导DFB激光器的制备工艺
本专利技术属于半导体激光器制备工艺
，涉及一种基于双胶层结构的脊型波导DFB激光器的制备工艺。
技术介绍
在光纤通信中，半导体激光器由于体积小、效率高、功耗低、易于集成等优点，已经成为光通信领域中的核心信号发射源。随着光纤通信的迅速发展，长波长DFB(DistributedFeedbackLaser)激光器由于其稳定的动态单纵模特性，被广泛用于高速传输系统，特别是近几年来FTTH的迅猛发展，大力推动了DFB激光器外延材料和工艺制备工艺的发展。目前DFB激光器有两种结构，脊型波导结构(RWG)及掩埋异质结结构(BH)。RWG结构对于工艺相对简单，而BH结构需要附加二次外延生长工艺，因此RWG结构成为目前光通信中DFB激光器的主流结构。对于脊型波导结构的DFB激光器来讲，为了保证高的电流注入效率，在脊条之外的区域生长一层绝缘层，以防止脊条之外区域导电。通常激光器脊型波导刻蚀结束后，通过PECVD方法沉积一层SiO2绝缘层，通过对绝缘层“开窗”的方法进行脊条区域绝缘层的刻蚀。绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于双胶层结构的脊型波导DFB激光器的制备工艺，其特征在于，其中脊型区域电流通道开窗口具体包括以下步骤：/n（1）通过等离子增强化学气相沉积方式沉积一层SiO

【技术特征摘要】
1.一种基于双胶层结构的脊型波导DFB激光器的制备工艺，其特征在于，其中脊型区域电流通道开窗口具体包括以下步骤：
（1）通过等离子增强化学气相沉积方式沉积一层SiO2绝缘层；
（2）在SiO2绝缘层表面涂覆第一层光刻胶，烘烤第一层光刻胶，降低其光敏性，使其不被湿法腐蚀；
（3）在第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶，形成双胶层结构；烘烤第二层光刻胶，其烘烤温度和时间均小于第一层光刻胶；
（4）利用光刻版在第二层光刻胶上进行曝光显影；
（5）采用湿法腐蚀工艺对曝光显影后的第二层光刻胶进行腐蚀；
（6）采用RIE干法刻蚀工艺对第一层光刻胶进行刻蚀；
（7）采用RIE干法刻蚀工艺对SiO2绝缘层进行刻蚀，去除脊条上的SiO2绝缘层，形成电流通道。


2.根据权利要求1所述的基于双胶层结构的脊型波导DFB激光器的制备工艺，其特征在于，SiO2绝缘层厚度为30...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丹，王权兵，刘巍，阳洪涛，王任凡，
申请(专利权)人：武汉敏芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42