电容检测电路以及电容检测方法技术

本发明专利技术提供一种具有输入保护电路并且具有高灵敏度的电容检测电路。该电容检测电路（２０）用于检测电容型传感器Ｃｓ的电容，包括：经由信号线（１３）连接在电容型传感器（Ｃｓ）上的电压放大率为１的第一缓冲放大器部（１２）、串连连接在信号线（１３）和正电源（＋Ｖｄｄ）之间的二极管（Ｄｐ１）和（Ｄｐ２）、以及串连连接在信号线（１３）和负电源（一Ｖｄｄ）之间的二极管（Ｄｍ１）和（Ｄｍ２），并且缓冲放大器部（１２）的输出端子连接在二极管（Ｄｐ１）和二极管（Ｄｐ２）的连接点（２１ａ）、以及二极管（Ｄｍ１）和二极管（Ｄｍ２）的连接点（２１ｂ）上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及检测静电电容的电路，特别涉及输出与微小的静电电容的变化相对应的信号的电路。
技术介绍
在现有技术中，作为静电电容(以下简称为“电容”)根据物理量的变化而变化的电容型传感器的检测电路，有图1所示的电容检测电路10。该电容检测电路10是输出与电容型传感器Cs的电容相对应的电压信号的电路，由电容型传感器Cs、输入保护电路11、电阻Rh、缓冲放大器12、连接电容型传感器Cs和缓冲放大器12的信号线13等构成(作为输入保护电路，例如参照日本专利文献特开平5-335493号公报)。在电容型传感器Cs的一个电极上施加电压Vb，另一个电极通过信号线13与缓冲放大器12的输入端子相连接。输入保护电路11是将流入信号线13的静电荷等高电压箝位在电源电压上的电路，由信号线13以及连接在正电源(+Vdd)和负电源(-Vdd)之间的二极管Dp和Dm构成。这种以往的电容检测电路10如下进行工作。这里，用Ci表示信号线13的寄生电容，则由于施加在电容型传感器Cs上的电压Vb是由电容型传感器Cs和寄生电容Ci来确定的，所以缓冲放大器12的输入电压Vin变为Vin＝Vb·(1/jωCi)/(1/jω本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容检测电路，用于检测被测电容器的电容，其特征在于，包括：经由信号线连接在所述被测电容器上的第一缓冲放大器部、串连连接在所述信号线和第一电源之间的第一及第二二极管、以及串连连接在所述信号线和第二电源之间的第三及第 四二极管，并且，所述第一缓冲放大器部的输出端子连接在所述第一二极管和所述第二二极管的第一连接点、以及所述第三二极管和所述第四二极管的第二连接点上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：八壁正巳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]