【技术实现步骤摘要】
本技术属半导体器件检测
对集成电路性能的检测，现有的方法是用专用测试仪器进行测定。这种专用测试仪只能测试单种(类)集成电路，且造价昂贵，结构复杂。如国营韶光电工厂设计生产的MTS－3集成电路测试系统，即是如此。针对现有测试仪器，设计了双列集成电路测试仪，即通用集成电路测试仪。这种测试仪的原理是对于相同的集成块，如果处在相同的工作条件下它们的相同引脚上应有相同的特征值。其测试方法是将被测集成电路与功能和特性均在规定指标范围里的标准集成电路进行比较，通过运算判断从而决定被测集成电路的性能好坏及损坏程度。其原理方框图如附附图说明图1。其中开关部分对准标准块与被测块的相同引脚上的参数进行提取；准标准块工作条件及被测块工作条件是对准标准块和被测块建立模拟工作状态，取得准特征值及离散特征值；运算判断电路的作用是对准特征值及离散特征值完成一定的运算及判断功能；阈值调节电路其作用是对合格／不合格范围进行控制；电源供给本装置各部分多种电压；显示器是由发光元件对判断结果进行直观显示。本技术可以迅速定性判断被测集成块的性能好坏，同时半定量地反映其质量的稳定程度。本技术的目...
【技术保护点】
一种由２×２２双刀开关１、模拟工作条件２、硅二极管３（１／４）运算放大器４、５、６、７及电阻Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］、Ｒ↓［４］、Ｒ↓［７］、Ｒ↓［８］、Ｒ↓［Ｗ］和发光二极管Ｄ↓［１］、Ｄ↓［２］、Ｄ↓［３］及电源８构成的通用集成电路测试仪其特征在于：模拟工作条件２是由４４只阻值相同的电阻组成，其中２２只电阻上端接至两插座的第一列，下端与硅二极管３的正极相接，另外２２只下端接至两只插座的第二列，上端连Ｖ↓［＋］、硅二极管３的负极接地。
【技术特征摘要】
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