晶体管噪声成份分析测试方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体器件低频噪声成份分析方法及相应的测试系统。特别是代有微型机处理的自动测试系统。该发明专利技术对用低频噪声来预测器件长期使用的可靠性，从而为半导体器件的可靠性筛选，提供一种快速、无损、可靠的新方法。为此，该发明专利技术首次实现了低频噪声成份的准确，而又定量的分析，为建立半导体器件噪声理论、器件内在缺陷分析、可靠性筛选均都具有开凿性的贡献。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对晶体管低频噪声成份的分析方法及相应的测试系统，特别是代有微机处理的自动测试系统。对晶体管的低频噪声成份(包括白噪声、1/f噪声、及g-r噪声)的大小及转折频率分析，是了解器件表面与体内缺陷，研究器件的噪声机理及对不可靠半导体器件的无损、快速筛选的一种重要方法。该专利技术对世界专利索引检索，没有见到有对低频噪声各成份的定量分析的切题文献。检索工程索引，其中只有一篇比较相近，其题目“借助子低频噪声测量对(AlGa)AS-GaAS2-D空气管进行深能级分析。”(原文“Deep-levelanalgsisin(AlGa)AS-GaAS2-delectrongasdevi-cesbymeansoflawfreguoueymisemeasuremonfs”)。该文对(AlGa)AS-GaAs元件低频噪声中的g-r噪声成份分析采用的方法，是从噪声谱曲线中观察，由g-r噪声引起的凸起来识别，不仅观察不明显，而且所确定的转折频率fo也很困难，因此，无法求出g-r噪声、1/f噪声、及白噪声的幅度。关于相应的测试系统，经检索，在现有技术中如美国的HP4470晶体管、场效应管噪声分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件噪声分析方法及测试系统，其特征在于：（ａ）根据测得的半导体噪声功率谱Ｓ↓［１］（ｆ），决定相应的白噪声、１／ｆ噪声、ｇ－ｒ噪声，为此根据：Ｓ↓［１］（ｆ）＝Ａ＋Ｂ／ｆ＋（Ｃ／ｆ↓［０］）／（１＋（ｆ／ｆ↓［０］）↑［２ ］）当Ｉ↓［ｂ］为一固定值时：则Ｂ、Ｃ分别反映了１／ｆ噪声、ｇ－ｒ噪声强度和缺陷的量级。（ｂ）对Ｓ↓［ｉ］（ｆ）作变换，即ｆＳ↓［ｉ］（ｆ）＝Ａｆ＋Ｂ＋（Ｃｆ／ｆ↓［０］）／（１＋（ｆ／ｆ↓［０］）↑［２］）当：无ｇ－ｒ噪声时： ｆＳ↓［ｉ］（ｆ）＝Ａｆ＋Ｂ，为一条直线。当：有ｇ－ｒ噪声时：ｆＳ↓［ｉ］（ｆ）曲线有峰起，对此求导...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：戴逸松，张庆敏，张新发，张晓冬，王树勋，
申请(专利权)人：吉林工业大学，
类型：发明
国别省市：22[中国|吉林]