【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件以及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
就常规而言，已经有人提出了一种半导体动态量传感器，其包括具有梁状结构的可移动部分和固定部分，并且其通过检测(例如)可移动部分和固定部分之间的电容的变化来检测诸如加速度、偏航率、振动等的动态量(例如，参考专利文献1到3)。在文献1到3的每一个中，均示出了一种半导体动态量传感器，其中在多层SOI衬底上形成各自用作感测部分的具有梁状结构的可移动部分和固定部分，并且由多晶硅等形成连接各个部分的布线。在专利文献4中，提出了一种半导体动态量传感器，其能够通过采用帽构件覆盖可移动部分而避免水或外来物质进入到该可移动部分中。在专利文献4所示的半导体动态量传感器中，提供了具有大量通孔的帽构件，并且直接向设置在形成有可移动部分和固定部分的SOI衬底上的引线键合焊盘执行引线键合，从而采用引线作为布线层的替代品。在专利文献5中，提出了一种半导体动态量传感器，其具有通过在构成SOI衬底并设有可移动部分等的硅层上叠置构成另一SOI衬底并通过环形突起设有信号处理电路的硅层而获得的结构。在专利文献6中，提出了环形突起的另一个...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 具有表面的板状传感器元件（１０），其包括设置在该传感器元件（１０）的表面部分中的传感器结构（１５到１７）；以及 结合到所述传感器元件（１０）的所述表面的板状帽元件（２０），其中： 所述帽元件（２０）具有面对所述传感器元件（１０）的布线图案部分（２３到２５）；并且 所述布线图案部分（２３到２５）连接所述传感器元件（１０）的所述表面的外侧边缘和所述传感器结构（１５到１７），从而使所述传感器结构（１５到１７）通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。
【技术特征摘要】
JP 2007-7-2 174028/2007;JP 2008-1-11 004144/20081、一种半导体器件，包括：具有表面的板状传感器元件(10)，其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17)；以及结合到所述传感器元件(10)的所述表面的板状帽元件(20)，其中：所述帽元件(20)具有面对所述传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)；并且所述布线图案部分(23到25)连接所述传感器元件(10)的所述表面的外侧边缘和所述传感器结构(15到17)，从而使所述传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。2、根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述布线图案部分(23到25)包括：用于连接所述传感器元件(10)的所述表面的所述外侧边缘与所述传感器结构(15到17)的第一布线层(23)；设置在所述第一布线层(23)上并且具有第一开口(24a)的第一绝缘膜(24)，所述开口面对所述传感器结构(15到17)和所述传感器元件(10)的所述表面的所述外侧边缘，从而使所述第一布线层(23)在所述第一开口(24a)中从所述第一绝缘膜(24)露出；以及包括布线部分(25a)的第二布线层(25)，所述布线部分设置于在所述第一开口(24a)中从所述第一绝缘膜(24)露出的所述第一布线层(23)上；所述布线部分(25a)与所述传感器结构(15到17)耦合；并且所述布线部分(25a)还与所述传感器元件(10)的所述表面的所述外侧边缘耦合。3、根据权利要求2所述的半导体器件，其中：所述传感器元件(10)的所述外侧边缘包括围绕所述传感器结构(15到17)的外围部分(19)；所述第二布线层(25)还包括具有环状并且面对所述外围部分(19)的密封部分(25b)；将所述密封部分(25b)设置在所述第一绝缘膜(24)上，从而使所述密封部分(25b)与所述第一布线层(23)电绝缘；并且将所述密封部分(25b)结合到所述外围部分(19)，从而将所述传感器结构(15到17)密封和容纳在由所述帽元件(20)和所述传感器元件(10)限定的空间中。4、根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：所述传感器元件(10)的所述外侧边缘还包括用于将引线(31)连接到所述外部元件的连接部分(18)；将所述连接部分(18)设置在所述外围部分(19)的外侧上；并且将所述布线部分(25a)结合到所述连接部分(18)，从而使所述传感器结构(15到17)通过所述连接部分(18)和所述引线(31)与所述外部元件耦合。5、根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：所述布线部分(25a)接触用于连接所述外部元件的引线(31)，从而使所述传感器结构(15到17)通过所述布线部分(25a)和所述引线(31)与所述外部元件耦合。6、根据权利要求2或3所述的半导体器件，还包括：用于倒装片安装的突起(60)，其中：所述传感器元件(10)的所述外侧边缘还包括连接部分(18)；将所述连接部分(18)设置在所述外围部分(19)的外侧上；并且将所述突起(60)结合到所述连接部分(18)。7、根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：所述帽元件(20)还包括设置在所述帽元件(20)的表面部分中并且与所述传感器元件(10)相对的IC电路部分(50)。8、根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：所述帽元件(20)还包括设置在所述帽元件(20)的表面部分中并且面对所述传感器元件(10)的IC电路部分(50)。9、根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：所述第一绝缘膜(24)还具有另一第一开口(24a)，其面对所述传感器结构(15到17)和所述传感器元件(10)的所述表面的所述外侧边缘，从而使所述第一布线层(23)在所述另一第一开口(24a)中从所述第一绝缘膜(24)露出；所述第二布线层(25)还包括另一布线部分(25a)，其设置于在所述另一第一开口(24a)中从所述第一绝缘膜(24)露出的所述第一布线层(23)上；使所述另一布线部分(25a)与所述传感器结构(15到17)耦合；还使所述另一布线部分(25a)与所述传感器元件(10)的所述表面的所述外侧边缘耦合；并且使所述布线部分(25a)指向与所述另一布线部分(25a)不同的一个方向。10、根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：所述帽元件(20)还包括凹入部分(21a)，其至少面对所述传感器结构(15到17)，而且不设置在所述布线部分(25a)上。11、根据权利要求3所述的半导体器件，其中：所述帽元件(20)具有硅衬底(21)、位于所述硅衬底(21)上的第二绝缘膜(22)和第一导电接触部分(26)；所述第二绝缘膜(22)具有第二开口(22a)，以便通过所述第二开口(22a)暴露所述硅衬底(21)；所述第一导电接触部分(26)设置在所述第二开口(22a)中，并且电连接所述硅衬底(21)和所述第一布线层(23)；所述布线图案部分(23到25)还包括第二导电接触部分(27)，其设置在所述第一开口(24a)中；所述第二导电接触部分(27)电连接所述第一布线层(23)和所述密封部分(25b)；并且所述硅衬底(21)通过所述第一导电接触部分(26)、所述第一布线层(23)、所述第二导电接触部分(27)和所述密封部分(25b)电连接所述传感器元件(10)的所述外围部分(19)。12、根据权利要求11所述的半导体器件，其中：所述传感器元件(10)具有包括第一硅层(11)、第二硅层(12)和绝缘层(13)的SOI衬底；所述传感器结构(15到17)设置在所述第一硅层(11)中；所述绝缘层(13)夹在所述第一硅层(11)和所述第二硅层(12)之间；所述外围部分(19)设置在所述第一硅层(11)中；所述绝缘层(13)具有其中设置衬底接触部分(11a)的第三开口；并且将所述衬底接触部分(11a)设置在所述外围部分(19)和所述第二硅层(12)之间，以电连接所述外围部分(19)和所述第二硅层(12)。13、根据权利要求12所述的半导体器件，其中：所述传感器元件(10)具有位于所述第一硅层(11)上的第三布线层(14)；并且将所述帽元件(20)结合到所述第三布线层(14)。14、根据权利要求2或3所述的半导体器件，其中：所述传感器结构(15到17)包括可在所述传感器元件(10)内移动的可移动电极(110)；所述第一布线层(23)面对所述可移动电极(110)；并且所述传感器元件(10)检测所述第一布线层(23)和所述可移动电极(110)之间的距离变化，从而所述传感器元件(10)检测垂直于所述传感器元件(10)的表面的方向上的加速度。15、根据权利要求14所述的半导体器件，其中：所述布线图案部分(23到25)还包括反电极(25c)；所述反电极(25c)设置在所述第一绝缘膜(24)上，并且面对所述可移动电极(110)；并且所述传感器元件(10)检测所述可移动电极(110)和所述反电极(25c)之间的距离变化，其对应于所述第一布线层(23)和所述可移动电极(110)之间的距离变化。16、一种半导体器件，包括：具有第一表面的板状第一芯片(80)，其包括设置在该第一芯片(80)的第一表面部分中的第一IC电路部分(81)；以及具有第二表面的板状第二芯片(90)，其包括设置在该第二芯片(9...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤井哲夫，杉浦和彦，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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