真空吸盘、真空吸附装置及其工作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种真空吸盘、真空吸附装置及其工作方法，属于半导体技术领域。真空吸盘，包括：吸盘本体；设置在所述吸盘本体的吸附面上的密封圈；设置在所述吸盘本体的吸附面上、位于所述吸盘本体边缘的密封隔离环，所述密封隔离环位于所述密封圈远离所述吸盘本体中心一侧、用以在所述真空吸盘吸附晶圆后与所述晶圆之间形成封闭的过刻检测区域；设置在所述吸盘本体内，用以与所述过刻检测区域连通的通道；设置在所述通道内的气体压力感应器及控制器。本发明专利技术能够防止晶圆边缘过度刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
真空吸盘、真空吸附装置及其工作方法
本专利技术涉及半导体
，特别是指一种真空吸盘、真空吸附装置及其工作方法。
技术介绍
作为当前大规模硅半导体集成电路制作用途最广的基底，硅晶圆的制造过程一般包括拉晶，切割，抛光，清洗等工序。集成电路制造领域中不同的器件制造需要不同类型的晶圆，外延片是在单晶硅片表面上沉积一薄的单晶硅层的硅晶圆，多应用在CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)领域中。硅晶圆的外延工艺一般是在清洗工艺后进行，重掺晶圆的外延工序中必须注意自掺杂现象，即外延反应器中，晶圆中的重掺成分或杂质在高温下会挥发至气相并参与到外延反应中，严重影响外延层的品质。背封工艺是一种常用的阻止自掺杂现象的手段，通过在晶圆背面沉积SiO2薄膜来阻挡重掺成分和杂质的挥发。背封SiO2薄膜一般采用CVD(ChemicalVapourDeposition，气相沉积法)方式沉积，晶圆的正面和边缘都不可避免地被沉积上一层SiO2膜，边缘沉积的SiO2薄膜是不被需要的，因为将会对后续的工艺产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空吸盘，其特征在于，包括：/n吸盘本体；/n设置在所述吸盘本体的吸附面上的密封圈；/n设置在所述吸盘本体的吸附面上、位于所述吸盘本体边缘的密封隔离环，所述密封隔离环位于所述密封圈远离所述吸盘本体中心一侧、用以在所述真空吸盘吸附晶圆后与所述晶圆之间形成封闭的过刻检测区域；/n设置在所述吸盘本体内，用以与所述过刻检测区域连通的通道；/n设置在所述通道内的气体压力感应器及控制器。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空吸盘，其特征在于，包括：
吸盘本体；
设置在所述吸盘本体的吸附面上的密封圈；
设置在所述吸盘本体的吸附面上、位于所述吸盘本体边缘的密封隔离环，所述密封隔离环位于所述密封圈远离所述吸盘本体中心一侧、用以在所述真空吸盘吸附晶圆后与所述晶圆之间形成封闭的过刻检测区域；
设置在所述吸盘本体内，用以与所述过刻检测区域连通的通道；
设置在所述通道内的气体压力感应器及控制器。


2.根据权利要求1所述的真空吸盘，其特征在于，所述密封隔离环在垂直于周向的方向上的纵截面为U形。


3.根据权利要求1所述的真空吸盘，其特征在于，所述密封圈和所述密封隔离环采用耐酸腐蚀的橡胶材料。


4.一种真空吸附装置，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所述的真空吸盘。


5.一种真空吸附装置的工作方法，其特征在于，应用于如权利要求4所述的真空吸附装置，包括：
将所述真空吸盘的吸附面压在晶圆的背面以吸附所述晶圆的背膜；
启动真空泵对第一区域和第二区域抽真空，其中，所述第一区域为所述密封圈内侧与所述晶圆之间形成的封闭性区域，所述第二区域为所述密封圈外侧与所述晶圆之间形成的封闭性区域；
利用设置在所述通道内的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏，衡鹏，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61