转移装置及转移方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种转移装置及转移方法，所述转移装置包括一基板和设置于所述基板上的至少一转移头，所述转移头包括：吸附器件和磁场发生器件，其中，磁场发生器件用于生成磁场以吸附磁性粒子在所述吸附区内形成接触层，所述吸附器件将Micro LED吸附于所述接触层的表面上；本发明专利技术所述转移装置及转移方法能使Micro LED均能够被磁性粒子充分的接触，进而能克服传统的静电转移头中存在的转移头与被吸取目标间的距离严重影响吸附力的大小的问题。

Transfer device and transfer method

【技术实现步骤摘要】
转移装置及转移方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种转移装置及转移方法。
技术介绍
在微发光二极管显示器制作工艺中，将MicroLED由中间承载板转移到TFT基板上进行MicroLED与TFT基板间的bonding是非常关键的一步。另外，对于TFT基板上Bonding后出现点亮异常的MicroLED，需要定点的把异常MicroLED去除。因此，需要高效的MicroLED转移工具可靠、精确、快速、廉价的完成转移。然而，目前存在的MicroLED转移头由于各自的缺陷，没办法比较可靠、定点、快速、廉价的对MicroLED进行转移。例如，在传统的静电转移头中，静电转移头与被吸取目标间的距离严重影响其吸附力的大小。图1为现有静电转移头的结构示意图，如图1所示，在利用图1中的静电转移头200吸取MicroLED200时，静电转移头200对所述MicroLED200的静电力与两者之间距离的平方成反比。因此，亟需提供一种可靠度和精度较高，且成本低廉的转移装置及转移方法，以解决上述问题。专利技术内容为了解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移装置，包括一基板和设置于所述基板上的至少一转移头，其特征在于，所述转移头包括：一吸附器件和一磁场发生器件，其中：/n所述吸附器件设置于所述基板的一表面上并且在背离所述基板的表面上包括一吸附区，所述吸附器件至少用于：将预设距离范围内的Micro LED吸附于所述吸附区，或者，释放所述Micro LED；/n所述磁场发生器件设置于所述吸附器件和所述基板之间并被配置为通过产生磁场以至少用于：将预设距离范围内的磁性粒子吸附于所述吸附区上以形成一具有预设结构的接触层，使得所述接触层与吸附于所述吸附区的所述Micro LED接触，或者，从所述接触层释放所述磁性粒子。/n

【技术特征摘要】
1.一种转移装置，包括一基板和设置于所述基板上的至少一转移头，其特征在于，所述转移头包括：一吸附器件和一磁场发生器件，其中：
所述吸附器件设置于所述基板的一表面上并且在背离所述基板的表面上包括一吸附区，所述吸附器件至少用于：将预设距离范围内的MicroLED吸附于所述吸附区，或者，释放所述MicroLED；
所述磁场发生器件设置于所述吸附器件和所述基板之间并被配置为通过产生磁场以至少用于：将预设距离范围内的磁性粒子吸附于所述吸附区上以形成一具有预设结构的接触层，使得所述接触层与吸附于所述吸附区的所述MicroLED接触，或者，从所述接触层释放所述磁性粒子。


2.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述磁场发生器件包括至少一电磁线路层，所述电磁线路层包括一第一介电层和包覆于所述第一介电层的至少一电磁线圈；
所述电磁线圈被配置为接收独立的电磁信号并根据所述电磁信号产生磁场。


3.如权利要求2所述的转移装置，其特征在于，相邻两个转移头的磁场发生器件内的各所述电磁线路层分别同层并分别通过所述第一介电层连续，以构成一磁场发生器件层。


4.如权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述第一介电层为SiNx、SiOx或SiONx中的至少一种。


5.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置包括阵列排布于所述基板上的复数个所述转移头；
所述转移装置还包括复数个阻隔坝，所述阻隔坝设置于相邻的所述转移头之间并至少用于定义所述转移头的吸附区。


6.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述吸附器件包括至少一静电线路层，所述静电线路层包括：
至少一静电电极，设置于所述磁场发生器件的背离所述基板的一侧；以及，
第二介电层，设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢马才，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44