一种微型发光二极管显示背板的转移方法技术

本发明专利技术提出一种微型发光二极管显示背板的转移方法，涉及微型发光二极管领域，本发明专利技术通过先将外延片与暂态基板贴合在一起，再分步刻蚀外延层形成微型发光二极管，最后利用两个转移头分步转移微型发光二极管实现其与驱动背板的键合，可以避免刻蚀金属产生的副产物造成微型发光二极管的台阶问题，也可以避免对缓冲层整面刻蚀造成出光面凹坑。

【技术实现步骤摘要】
一种微型发光二极管显示背板的转移方法
本专利技术属于微型发光二极管领域，具体涉及一种微型发光二极管显示背板的转移方法。技术背景微型发光二极管(MicroLED)的外延片可以与涂布粘合层的暂态基板进行贴合，然后通过剥离技术，如激光剥离技术、化学剥离技术等，使外延片的生长基板与外延层进行分离，从而制作垂直型发光二极管。目前制作垂直型发光二极管的方法有两种，第一种为外延片的生长基板与暂态基板贴合前进行干刻形成图案，但这种方法在进行激光剥离生长基板时容易生成裂纹，会破坏外延片的完整性；第二种为外延片的生长基板与暂态基板在贴合前不进行图案化处理，为了避免MicroLED的移位和脱落，需要采用干刻的方式刻蚀P型掺杂层上的金属层，但是干法刻蚀金属的均一性较差，且生成的副产物饱和蒸气压较低，易包覆在MicroLED的侧壁上使MicroLED出现台阶，使其尺寸与设计值差别较大，降低转移精度。此外，目前对于外延片的刻蚀一般为直接对位于N型掺杂层上方的缓冲层进行整面刻蚀，N型掺杂层作为出光面会在缓冲层整面性刻蚀时形成一定的损伤，N型掺杂层表面往往本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示背板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：外延片的外延层与暂态基板的粘合层进行真空贴合，外延片从下至上依次包括生长基板、缓冲层和外延层，外延层从下至上依次包括N型掺杂层、发光层以及P型掺杂层，暂态基板包括基板和位于基板上方的粘合层；/nS2：先激光剥离生长基板，再刻蚀除去缓冲层；/nS3：在外延层的上方依次沉积金属电极材料层、键合材料层和牺牲材料层；/nS4：在牺牲材料层上涂布光阻层，曝光显影后对金属电极材料层、键合材料层和牺牲材料层进行湿刻，形成阵列分布的金属电极层、位于金属电极层上方的键合层和位于键合层上方的牺牲层；/nS5：对外延层进行分步刻蚀形成阵列...

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示背板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：外延片的外延层与暂态基板的粘合层进行真空贴合，外延片从下至上依次包括生长基板、缓冲层和外延层，外延层从下至上依次包括N型掺杂层、发光层以及P型掺杂层，暂态基板包括基板和位于基板上方的粘合层；
S2：先激光剥离生长基板，再刻蚀除去缓冲层；
S3：在外延层的上方依次沉积金属电极材料层、键合材料层和牺牲材料层；
S4：在牺牲材料层上涂布光阻层，曝光显影后对金属电极材料层、键合材料层和牺牲材料层进行湿刻，形成阵列分布的金属电极层、位于金属电极层上方的键合层和位于键合层上方的牺牲层；
S5：对外延层进行分步刻蚀形成阵列分布的微型发光二极管、位于微型发光二极管上方的金属电极层和位于金属电极层上方的键合层；
S6：转移头将微型发光二极管转移至驱动背板的驱动电极上进行键合。


2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示背板的制造方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括以下步骤：
S11：对外延片和基板进行清洗；
S12：在基板上涂布粘合层形成暂态基板；
S13：外延片的外延层与暂态基板的粘合层在真空下进行贴合。


3.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示背板的转移方法，其特征在于，所述步骤S5具体包括以下步骤：
S51：对外延层的N型掺杂层和发光层进行干刻；
S52：除去牺牲层上的光阻层；
S53：对牺牲层和外延层的P型掺杂层进行干刻，形成阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：张良玉，朱充沛，高威，张有为，周宇，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32