电子封装件及其制法与承载结构制造技术

一种电子封装件及其制法与承载结构，包括：承载件，其具有至少一穿孔；电子元件，其设于该承载件上并电性连接该承载件；以及强化体，其设于该穿孔中并凸出该承载件，其中，该强化体未电性连接该承载件及该电子元件，以经由该强化体有效分散热应力，避免该电子元件与该承载件分离。

【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法与承载结构
本专利技术有关一种封装结构，尤指一种电子封装件及其制法与承载结构。
技术介绍
随着电子产品在功能及处理速度的需求的提升，作为电子产品的核心组件的半导体芯片需具有更高密度的电子元件(ElectronicComponents)及电子电路(ElectronicCircuits)，故半导体芯片在运作时将随之产生更大量的热能，且包覆该半导体芯片的封装胶体为一种导热系数仅0.8Wm-1k-1的不良传热材质(即热量的逸散效率不佳)，因而若不能有效逸散所产生的热量，将会造成半导体芯片的损害或产品信赖性问题。因此，为了能迅速将热能散逸至大气中，业界通常会在半导体封装结构中配置散热片(HeatSink或HeatSpreader)，该散热片一般经由散热胶，如导热介面材(ThermalInterfaceMaterial，简称TIM)，结合至半导体芯片背面，以借散热胶与散热片逸散出半导体芯片所产生的热量，此外，通常令散热片的顶面外露出封装胶体或直接外露于大气中为佳，俾取得较佳的散热效果。现有TIM层为低温熔融的热传导材料(如焊锡材料)，其设于半导体芯片背面与散热片之间。如图1所示，现有半导体封装件1的制法先将一半导体芯片11以其作用面11a利用覆晶接合方式(即通过导电凸块110与底胶111)设于一封装基板10上，再将一散热件13以其顶片130经由TIM层12(其包含焊锡层与助焊剂)回焊结合于该半导体芯片11的非作用面11b上，且该散热件13的支撑脚131经由粘着层14架设于该封装基板10上。接着，进行封装压模作业，以供封装胶体(图略)包覆该半导体芯片11及散热件13，并使该散热件13的顶片130外露出封装胶体而直接与大气接触。之后，将该半导体封装件1以其封装基板10经由多个焊球15接置于一电路板9上。于运作时，该半导体芯片11所产生的热能经由该非作用面11b、TIM层12而传导至该散热件13的顶片130以散热至该半导体封装件1的外部。然而，现有半导体封装件1中，该些焊球15位于该封装基板10的布线区，故于热循环(thermalcycle)时，应力会集中在该封装基板10的非布线区，使该封装基板10发生翘曲，导致该半导体芯片11与该封装基板10分离，即产生脱层(delaminating)问题，造成该半导体芯片11无法有效电性连接至该电路板9或该半导体封装件1无法通过可靠度测试，致使产品的良率不佳。此外，当该半导体封装件1的尺寸增大时，重量也随之增加，故于回焊该焊球15而使该焊球15呈熔融状态时，该些焊球15因无法承受其上方的构件重量而将被压扁、变形(如图1所示的虚线处)，导致相邻焊球15容易发生桥接(Ballbridge)现象而产生电性短路的问题。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术提供一种电子封装件及其制法与承载结构，避免该电子元件与该承载件分离。本专利技术的电子封装件，其包括：承载件，其具有至少一穿孔；电子元件，其设于该承载件上并电性连接该承载件；以及强化体，其设于该穿孔中并凸出该承载件，其中，该强化体未电性连接该承载件及该电子元件。本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：提供具有至少一穿孔的承载件；以及将电子元件设于该承载件上，并使该电子元件电性连接该承载件，且形成强化体于该穿孔中，并使该强化体凸出该承载件，其中，该强化体未电性连接该承载件及该电子元件。前述的电子封装件及其制法中，该承载件具有相对的第一表面与第二表面，使该电子元件设于该承载件的第一表面上，且该强化体凸出该承载件的第一表面。例如，还包括设置板块体于该承载件的第二表面上，且该板块体连接该强化体但未电性连接该承载件及该电子元件。前述的电子封装件及其制法中，该承载件具有相对的第一表面与第二表面，使该电子元件设于该承载件的第一表面上，且该强化体凸出该承载件的第二表面。例如，还包括设置板块体于该承载件的第一表面上，且该板块体连接该强化体但未电性连接该承载件及该电子元件。前述的电子封装件及其制法中，该承载件的表面定义有布线区与邻接该布线区的空旷区，以令该电子元件配置于该布线区，且该强化体配置于该空旷区。前述的电子封装件及其制法中，该穿孔位于该承载件的其中一表面的边缘处而未连通该边缘。前述的电子封装件及其制法中，该穿孔为形成于该承载件侧面的缺口。前述的电子封装件及其制法中，还包括形成绝缘体于该承载件上，以包覆该强化体凸出该承载件的部分。前述的电子封装件及其制法中，还包括设置散热件于该承载件上。前述的电子封装件及其制法中，还包括于该承载件上形成多个电性连接该承载件的导电元件。本专利技术另提供一种承载结构，包括：承载件，其具有至少一穿孔；以及强化体，其设于该穿孔中并凸出该承载件，其中，该强化体未电性连接该承载件。前述的承载结构中，还包括设于该承载件上的板块体，其连接该强化体，且该板块体未电性连接该承载件。前述的承载结构中，该穿孔位于该承载件的其中一表面的边缘处而未连通该边缘。前述的承载结构中，该穿孔为形成于该承载件侧面的缺口。前述的承载结构中，还包括形成于该承载件上的绝缘体，以包覆该强化体凸出该承载件的部分。前述的承载结构中，还包括形成于该承载件上以电性连接该承载件的多个导电元件。由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法与承载结构中，主要经由该强化体穿过该承载件的设计，以有效分散热应力，故相较于现有技术，本专利技术能避免该电子元件与该承载件分离，因而该电子元件能有效电性连接至该电路板或该电子封装件能通过可靠度测试。此外，当该电子封装件的尺寸增大时，重量也随之增加，故于该导电元件呈熔融状态时，经由该强化体或板块体支撑下压力度，使该些导电元件受压至一定程度后能呈现预定形状，使相邻的导电元件不会发生桥接现象，因而能避免发生电性短路的问题。附图说明图1为现有半导体封装件的剖视示意图。图2A至图2D为本专利技术的电子封装件的制法的第一实施例的剖视示意图。图2A’为图2A的局部上视示意图。图3A至图3C为本专利技术的电子封装件的制法的第二实施例的剖视示意图。图3A’为图3A的局部上视示意图。图3A”为图3A’沿剖面线P-P的剖视示意图。图3B’为图3B的局部上视示意图。图3B”为图3B’沿剖面线P-P的剖视示意图。图3C’为图3C的另一视角的剖视示意图。图4A为图3C的另一实施例的局部放大剖视示意图。图4B为本专利技术的电子封装件的制法的其它实施例的剖视示意图。符号说明1半导体封装件10封装基板11半导体芯片11a,21a作用面11b,21b非作用面110,210导电凸块111,22底胶12TIM层13,2a,4a散热件130顶片131,27,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：/n承载件，其具有至少一穿孔；/n电子元件，其设于该承载件上并电性连接该承载件；以及/n强化体，其设于该穿孔中并凸出该承载件，其中，该强化体未电性连接该承载件及该电子元件。/n

【技术特征摘要】
20190418 TW 1081136021.一种电子封装件，其特征在于，包括：
承载件，其具有至少一穿孔；
电子元件，其设于该承载件上并电性连接该承载件；以及
强化体，其设于该穿孔中并凸出该承载件，其中，该强化体未电性连接该承载件及该电子元件。


2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该承载件具有相对的第一表面与第二表面，该电子元件设于该承载件的第一表面上，且该强化体凸出该承载件的第一表面。


3.根据权利要求2所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括设于该承载件的第二表面上的板块体，其连接该强化体但未电性连接该承载件及该电子元件。


4.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该承载件具有相对的第一表面与第二表面，该电子元件设于该承载件的第一表面上，且该强化体凸出该承载件的第二表面。


5.根据权利要求4所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括设于该承载件的第一表面上的板块体，其连接该强化体但未电性连接该承载件及该电子元件。


6.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该承载件的表面定义有布线区与邻接该布线区的空旷区，以令该电子元件配置于该布线区，且该强化体配置于该空旷区。


7.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该穿孔位于该承载件的其中一表面的边缘处而未连通该边缘。


8.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该穿孔为形成于该承载件侧面的缺口。


9.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该承载件上的绝缘体，以包覆该强化体凸出该承载件的部分。


10.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括设于该承载件上的散热件。


11.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该电子封装件还包括形成于该承载件上以电性连接该承载件的多个导电元件。


12.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：
提供具有至少一穿孔的承载件；
将至少一电子元件设于该承载件上，并电性连接该承载件；以及
形成强化体于该穿孔中，并使该强化体凸出该承载件，其中，该强化体未电性连接该承载件及该电子元件。


13.根据权利要求12所述的电子封装件的制法，其特征在于，该承载件具有相对的第一表面与第二表面，该电子元件设于该承载件的第一表面上，且该强化体凸出该承载件...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈汉宏，林荣政，余国华，林长甫，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71