抗裂性硅基平整化组合物、方法和膜技术

一种用于使半导体器件的表面平整化的组合物包括：硅基材料，硅基材料包括硅氧烷、倍半硅氧烷、聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷和/或聚硅氧烷树脂；连同至少一种溶剂、催化剂以及交联剂，交联剂包括硅氧烷化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗裂性硅基平整化组合物、方法和膜
本专利技术涉及平整化材料，尤其涉及用于半导体和显示器制造的平整化介电材料。
技术介绍
在先进的半导体制造例如微处理器、存储器器件和采用发光二极管的显示器中，需要可以旋涂到器件的表面上以填充器件结构之间的深空间或间隙从而提供适用于后续器件层处理的相对平坦的表面的介电材料。期望改进平整化介电材料以为具有六微米深或更深的沟槽的先进半导体器件提供平整化。重要的是，此类介电材料在此类厚度处具有抗裂性，即使当暴露于超过400℃的温度时也是如此。对于光电应用来说同样重要的是，此类介电材料具有高光学透射率。该介电材料还应当是在暴露于超过400℃的温度时热稳定的。
技术实现思路
一种用于使半导体器件表面平整化的组合物包括硅基材料和交联剂，所述交联剂包括根据以下通式的硅氧烷化合物：其中R为包含脂族的基团，并且R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自由以下项构成的组：H或具有取代的或未取代的碳的烷基基团。各种实施方案涉及一种用于使半导体器件平整化的组合物。所述组合物包括硅基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于使半导体器件的表面平整化的组合物，所述组合物包括：/n硅基材料，所述硅基材料包括以下项中的至少一者：硅氧烷、倍半硅氧烷、聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷和聚硅氧烷树脂；/n至少一种溶剂；/n催化剂；以及/n交联剂，所述交联剂包括根据以下通式的硅氧烷化合物：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171219 US 62/607,454;20181205 US 16/210,1531.一种用于使半导体器件的表面平整化的组合物，所述组合物包括：
硅基材料，所述硅基材料包括以下项中的至少一者：硅氧烷、倍半硅氧烷、聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷和聚硅氧烷树脂；
至少一种溶剂；
催化剂；以及
交联剂，所述交联剂包括根据以下通式的硅氧烷化合物：



其中R为包含脂族的基团，并且R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地选自由以下项构成的组：H或具有取代的或未取代的碳的烷基基团。


2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述交联剂包括以下项中的至少一者：双-(三甲氧基甲硅烷基丙基)胺、双(三乙氧基甲硅烷基)甲烷、1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷和1-(三乙氧基甲硅烷基)-2-(二乙氧基甲基甲硅烷基)乙烷。


3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述硅基材料包括由以下单体形成的聚硅氧烷树脂，所述单体包括以下项中的至少一者：甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷。


4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述催化剂包括以下项中的至少一者：四甲基乙酸铵、四甲基氢氧化铵、四丁基乙酸铵、十六烷基三甲基乙酸铵和四甲基硝酸铵。


5.一种用于制备平整化组合物的方法，所述方法包括：
将硅基材料溶解在一种或多种溶剂中以形成硅基材料溶液，所述硅基材料包括以下项中的至少一者：硅氧烷、倍半硅氧烷、聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷和聚硅氧烷树脂；
将催化剂添加到所述硅基材料溶液；以及
将交联剂添加到所述硅基材料溶液，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄红敏，海伦·晓·徐，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：美国;US