【技术实现步骤摘要】
用于刻蚀机台的电极
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于刻蚀机台的电极。
技术介绍
干刻机台是半导体制造过程中的关键设备，上电极是干刻机台中的关键部件。在刻蚀机台工作时，等离子刻蚀气体通过上电极中的气孔进入刻蚀腔体，上电极表面的气孔实现等离子刻蚀气体均匀分布及调节。在上电极与下电极之间施加电压，上电极与下电极之间形成高压电场，等离子刻蚀气体在高压电场作用下轰击剥离基板进行干法刻蚀。现有的刻蚀机台的上电极的结构设计会造成刻蚀目标物上方等离子体分布不均，进而造成栅线及沟道关键尺寸发生变化，造成良率的损失。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种用于刻蚀机台的电极，其能够提高刻蚀目标物上方的等离子体密度的均匀性，避免由于等离子体密度不均匀而造成的栅线及沟道关键尺寸发生变化。为了解决上述问题，本技术提供了一种用于刻蚀机台的电极，其包括内电极，所述内电极的一表面具有凸起部，所述凸起部朝向远离所述内电极的方向凸起。进一步，所述凸起部为弧形凸起。进一步，所述凸起部为以所述内...
【技术保护点】
1.一种用于刻蚀机台的电极，其特征在于，包括内电极，所述内电极的一表面具有凸起部，所述凸起部朝向远离所述内电极的方向凸起。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于刻蚀机台的电极，其特征在于，包括内电极，所述内电极的一表面具有凸起部，所述凸起部朝向远离所述内电极的方向凸起。
2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述凸起部为弧形凸起。
3.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述凸起部为以所述内电极的中心线为对称线的对称结构。
4.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述内电极的所述表面还设置有平坦部，所述平坦部设置在所述凸起部的外侧，所述凸起部自所述平坦部凸伸。
5.根据权利要求4所述的电极，其特征在于，所述电极还包括外电极，所述外电极设置在所述内电极外围，所述外电极的一表面为平坦面。
6.根据权利要求5所述的电极，其特征在于，所述凸起部自所述外电极的所述表面凸伸。
7.根据权利要求5所述的电极，其特征在于，所述平坦部的表面与...
【专利技术属性】
技术研发人员：豆海清，郑亮，刘青松，邵克坚，任连娟，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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